[發(fā)明專利]內(nèi)容可尋址存儲器和半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810533547.6 | 申請日： | 2018-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN108986868A | 公開（公告）日： | 2018-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 藪內(nèi)誠 | 申請（專利權(quán)）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C29/10 | 分類號： | G11C29/10 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 李蘭;孫志湧 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 匹配線 內(nèi)容可尋址存儲器 耦合 存儲單元 電位 半導(dǎo)體裝置 改變電路 輸出電路 搜索線 搜索 訪問 | ||
1.一種內(nèi)容可尋址存儲器，包括：
多個存儲單元；
匹配線，所述匹配線耦合至所述多個存儲單元；
搜索線，所述搜索線耦合至所述多個存儲單元中的每個；
匹配線輸出電路，所述匹配線輸出電路耦合至所述匹配線；以及
電位改變電路，所述電位改變電路耦合至所述匹配線并且改變所述匹配線的電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)容可尋址存儲器，
其中，所述多個存儲單元被布置在所述電位改變電路和所述匹配線輸出電路之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)容可尋址存儲器，還包括：
字線，所述字線耦合至所述多個存儲單元中的每個；以及
字線驅(qū)動器，所述字線驅(qū)動器耦合至所述字線，
其中，所述電位改變電路被設(shè)置在所述字線驅(qū)動器和所述多個存儲單元之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)容可尋址存儲器，
其中，所述多個存儲單元中的每個是TCAM單元。
5.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
匹配線；
多個存儲單元，所述多個存儲單元耦合至所述匹配線；
輸出電路，所述輸出電路耦合至所述匹配線；以及
匹配線拉引放大電路，所述匹配線拉引放大電路耦合至所述匹配線并且用于拉引所述匹配線的電位，
其中，所述多個存儲單元被布置在所述匹配線拉引放大電路和所述輸出電路之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述匹配線拉引放大電路包括：
第一P溝道MOS晶體管，所述第一P溝道MOS晶體管的柵極耦合至所述匹配線；
第一N溝道MOS晶體管，所述第一N溝道MOS晶體管的柵極耦合至所述匹配線；
第二N溝道MOS晶體管；
第二P溝道MOS晶體管，所述第二P溝道MOS晶體管的柵極耦合至所述第一P溝道MOS晶體管和所述第一N溝道MOS晶體管的公共耦合節(jié)點(diǎn)；
第三N溝道MOS晶體管，所述第三N溝道MOS晶體管的柵極耦合至所述公共耦合節(jié)點(diǎn)；以及
第四N溝道MOS晶體管，
其中，所述第一P溝道MOS晶體管、所述第一N溝道MOS晶體管和所述第二N溝道MOS晶體管的源極-漏極路徑串聯(lián)耦合在第一參考電位和第二參考電位之間，
其中，所述第二P溝道MOS晶體管、所述第三N溝道MOS晶體管和所述第四N溝道MOS晶體管的源極-漏極路徑串聯(lián)耦合在所述第一參考電位和所述第二參考電位之間，并且
其中，所述第二P溝道MOS晶體管和所述第三N溝道MOS晶體管之間的公共耦合節(jié)點(diǎn)耦合至所述匹配線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第一N溝道MOS晶體管和所述第二N溝道MOS晶體管的柵極長度比所述第三N溝道MOS晶體管和所述第四N溝道MOS晶體管的柵極長度長。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第三N溝道MOS晶體管和所述第四N溝道MOS晶體管的柵極寬度比所述第一N溝道MOS晶體管和所述第二N溝道MOS晶體管的柵極寬度寬。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第一N溝道MOS晶體管、所述第二N溝道MOS晶體管、所述第三N溝道MOS晶體管和所述第四N溝道MOS晶體管是FinFET。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述第一N溝道MOS晶體管、所述第二N溝道MOS晶體管、所述第三N溝道MOS晶體管和所述第四N溝道MOS晶體管是FinFET。
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