[發(fā)明專利]一種雙層復(fù)合SiO2 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810513506.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108623185B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陶朝友;鄒鑫書 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號(hào): | C03C17/23 | 分類號(hào): | C03C17/23 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李倩 |
| 地址: | 621999 四川省綿*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙層 復(fù)合 sio base sub | ||
1.一種雙層復(fù)合SiO2減反射膜的制備方法,其特征在于,包含如下步驟:
步驟1,按一定摩爾比將硅源加入至無水乙醇、鹽酸和水的混合液中,于室溫下攪拌均勻后靜置數(shù)天,得到酸催化的SiO2溶膠A;其中,所述SiO2 溶膠A的質(zhì)量百分濃度為3%;
步驟2,按一定摩爾比將硅源加入至無水乙醇、氨水和水的混合液中,于室溫下攪拌均勻后靜置數(shù)天,得到堿催化的SiO2溶膠B;其中,所述SiO2 溶膠B的質(zhì)量百分濃度為3%;
步驟3,取所需量步驟1制得的SiO2溶膠A除酸處理,得到SiO2溶膠A1;取所需量步驟2制得的SiO2溶膠B除氨處理,得到SiO2溶膠B1;
步驟4,將SiO2溶膠A1和SiO2溶膠B按照質(zhì)量比1:4進(jìn)行混合,將SiO2溶膠A和SiO2溶膠B1按照質(zhì)量比2:3進(jìn)行混合,攪拌均勻后靜置數(shù)天,分別得到復(fù)合溶膠S-20%和復(fù)合溶膠S-40%;
步驟5,在相對(duì)濕度環(huán)境<50%的環(huán)境下,將經(jīng)過預(yù)處理的基底浸入步驟4的復(fù)合溶膠S-40%中,采用浸漬提拉法在基底上鍍膜,其中,提拉速度為80 mm/min;提拉后將鍍膜的基底靜置數(shù)分鐘,再將基底浸入步驟4的復(fù)合溶膠S-20%中,采用40mm/min提拉速度進(jìn)行鍍膜;
步驟6,將步驟5中鍍有雙層膜的基底置于HMDS氣氛中處理一段時(shí)間后即可得到所需的雙層復(fù)合SiO2減反射膜;S-20%中,來自膠體B的氨水可以在復(fù)合膠體溶液中繼續(xù)充當(dāng)催化劑,來自酸性膠體的鏈狀物與來自堿性膠體的顆粒發(fā)生聚合反應(yīng), 顆粒之間被鏈條支撐開來,使得薄膜具有很多的微孔,從而擁有很大的孔隙率,其折射率從而進(jìn)一步降低到1.180。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層復(fù)合SiO2減反射膜的制備方法,其特征在于:步驟1和步驟2中,所述硅源為正硅酸乙酯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層復(fù)合SiO2減反射膜的制備方法,其特征在于:步驟1中,所述硅源、無水乙醇、鹽酸和水的混合摩爾比為1:40:0.04:4。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層復(fù)合SiO2減反射膜的制備方法,其特征在于:步驟1中,所述鹽酸的質(zhì)量百分濃度為36%~38%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層復(fù)合SiO2減反射膜的制備方法,其特征在于:步驟2中,所述硅源、無水乙醇、氨水和水的混合摩爾比為1:37.6:0.17:3.25。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層復(fù)合SiO2減反射膜的制備方法,其特征在于:步驟2中,所述氨水的質(zhì)量百分濃度為25%~28%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層復(fù)合SiO2減反射膜的制備方法,其特征在于:步驟5中,所述基底為硅片、K9玻璃基片、熔石英或普通玻璃中的任意一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層復(fù)合SiO2減反射膜的制備方法,其特征在于:步驟5中,所述基底的預(yù)處理是指將基底放入洗液中充分洗滌后,再分別用無水乙醇和去離子水經(jīng)超聲波充分清洗,然后用氮?dú)獯蹈伞?/p>
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