[發(fā)明專利]半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810513295.0
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN108933165B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 劉賢琯;金孝珍;河龍
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件，包括：

鰭型圖案，其從襯底突出并且包括由溝槽限定的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁；

場絕緣膜，其與所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁接觸放置并且填充所述溝槽；以及

外延圖案，其形成在所述鰭型圖案上并且包括第一外延層和形成在所述第一外延層上的第二外延層，其中

所述第一外延層包括第一濃度的第一材料，以及

所述第二外延層包括第二濃度的所述第一材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中

所述鰭型圖案具有垂直于所述溝槽的底表面的鰭中心線，

所述鰭中心線穿過連接第一點和第二點的鰭邊界線的中心，所述場絕緣膜的頂表面和所述第一側(cè)壁在所述第一點處相遇，所述場絕緣膜的頂表面和所述第二側(cè)壁在所述第二點處相遇，

所述第二外延層包括設置在所述鰭中心線的相反側(cè)上的第一部分和第二部分，

在相對于所述溝槽的所述底表面的第一高度處，所述第一部分的寬度不同于所述第二部分的寬度，

所述第一外延層包括設置在所述鰭中心線的相反側(cè)上的第三部分和第四部分，以及

在相對于所述溝槽的所述底表面的第二高度處，所述第三部分的寬度與所述第四部分的寬度相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中

所述第一部分包括第一上傾斜表面和第一下傾斜表面，

所述第二部分包括第二上傾斜表面和第二下傾斜表面，

所述第一上傾斜表面平行于所述第二下傾斜表面，以及

所述第一下傾斜表面平行于所述第二上傾斜表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體器件，其中所述第一上傾斜表面、所述第一下傾斜表面、所述第二上傾斜表面和所述第二下傾斜表面具有[111]晶面。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中

所述第一部分包括第一上傾斜表面和第一下傾斜表面，以及

所述第二部分的所述外部的至少部分被圓化。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體器件，其中所述第一部分的寬度小于所述第二部分的寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體器件，其中

所述第二部分包括第二上傾斜表面和第二下傾斜表面，以及

所述第二下傾斜表面被圓化。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體器件，其中所述第一上傾斜表面、所述第一下傾斜表面和所述第二上傾斜表面具有[111]晶面。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中

所述外延圖案還包括插置在所述第一外延層與所述第二外延層之間的第三外延層，

所述第三外延層包括設置在所述鰭中心線的相反側(cè)上的第五部分和第六部分，以及

在相對于所述溝槽的所述底表面的第三高度處，所述第五部分的寬度與所述第六部分的寬度相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中

所述外延圖案還包括插置在所述第一外延層與所述第二外延層之間的第三外延層，

所述第三外延層包括設置在所述鰭中心線的相反側(cè)上的第五部分和第六部分，

在相對于所述溝槽的所述底表面的所述第一高度處，所述第一部分的寬度小于所述第二部分的寬度，

在相對于所述溝槽的所述底表面的第三高度處，所述第五部分的寬度小于所述第六部分的寬度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述第二濃度不同于所述第一濃度。