[發明專利]一種應用于SRAM的可調節WLUD讀寫輔助電路

有效

• 申請號: 201810504047.X
• 申請日: 2018-05-23
• 公開（公告）號: CN108766493B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 劉雯;王建國;何宏瑾
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419;G11C11/418
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種應用于SRAM的可調節WLUD讀寫輔助電路，包括：

字線電壓感應模塊，用于通過偵測復制的SRAM存儲單元中內部節點P的電壓Vout_SENSOR來實現對施加于SRAM存儲單元中傳輸管的柵極的字線WL電壓的間接偵測，以判定是否需要進行下字線驅動降檔并輸出字線電壓降檔所需的開關控制信號SEL[n:0]；

下字線驅動幅度控制模塊，用于產生字線偏置電壓產生模塊所需的運放偏置電壓VBIAS_OP，并在所述字線電壓感應模塊輸出的開關控制信號SEL[n:0]的控制下，通過接通不同的傳輸門以提供不同檔位的字線參考電壓WL_REF；

字線偏置電壓產生模塊，用于產生復制字線電壓WL_replicate供運算放大器和所述字線電壓感應模塊使用，并產生字線偏置電壓WL_BIAS輸出至與字線直接相連的字線驅動模塊，以實現字線WL電壓的電壓調節；

字線驅動模塊，用于在所述字線偏置電壓產生模塊輸出的字線偏置電壓WL_BIAS的控制下產生施加于SRAM存儲單元中傳輸管的柵極的字線WL電壓。

2.如權利要求1所述的一種應用于SRAM的可調節WLUD讀寫輔助電路，其特征在于：所述字線電壓感應模塊包括一列復制的SRAM 6管存儲單元，其與SRAM存儲單元中的SRAM 6管存儲單元的尺寸和版圖布局完全相同，僅金屬連線不同。

3.如權利要求1所述的一種應用于SRAM的可調節WLUD讀寫輔助電路，其特征在于：所述字線電壓感應模塊還包括字線WL降檔判定邏輯電路，由若干組合邏輯門實現，用于判定字線WL電壓降低的電壓檔位，輸出開關控制信號控制所述下字線驅動幅度控制模塊工作。

4.如權利要求1所述的一種應用于SRAM的可調節WLUD讀寫輔助電路，其特征在于：所述下字線驅動幅度控制模包括電壓分檔電路、傳輸門電路及運放偏置電壓產生電路，所述電壓分檔電路通過若干電阻或等效為電阻的MOS管實現，所述傳輸門電路包括開關控制信號控制的傳輸門及若干組合邏輯電路組成，所述運放偏置電壓產生電路包括若干MOS管。

5.如權利要求4所述的一種應用于SRAM的可調節WLUD讀寫輔助電路，其特征在于：所述電壓分檔電路通過分壓電阻將電源電壓分為若干檔，每檔之間的電壓差相等或近似相等。

6.如權利要求4所述的一種應用于SRAM的可調節WLUD讀寫輔助電路，其特征在于：所述傳輸門電路的傳輸門的個數不少于所述電壓分檔電路的分壓電阻的個數，所有傳輸門的輸出連接在一起，作為所述下字線驅動幅度控制模塊的第一輸出。

7.如權利要求4所述的一種應用于SRAM的可調節WLUD讀寫輔助電路，其特征在于：所述運放偏置電壓產生電路產生的偏置電壓作為下字線驅動幅度控制模塊的第二輸出，產生的偏置電壓應大于MOS管的閾值電壓值，但小于所述下字線驅動幅度控制模塊的第一輸出的電壓值。

8.如權利要求4所述的一種應用于SRAM的可調節WLUD讀寫輔助電路，其特征在于：所述復制字線電壓產生電路包括一級驅動反相器和第一偏置PMOS管或第一偏置NMOS管，驅動反相器的尺寸與字線驅動模塊中的末級反相器的尺寸完全一致，第一偏置PMOS管或第一偏置NMOS管的尺寸和版圖布局與字線驅動模塊中的第二偏置PMOS管或第二偏置NMOS管的尺寸和版圖布局完全一致，該第一偏置PMOS管或第一偏置NMOS管的柵極與運算放大器的輸出相連，該第一偏置PMOS管的源極接電源VDD，或者該第一偏置NMOS管的源極接地VSS，驅動反相器的PMOS管和NMOS管的柵極接電源VDD或地VSS，該第一偏置PMOS管或第一偏置NMOS管的漏極與驅動反相器PMOS管和NMOS管的漏極相連，都連接至運算放大器的正端。