[發(fā)明專利]一種兆安級(jí)電流下金屬絲陣早期物理狀態(tài)的調(diào)控方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810497433.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108601197A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張金海;李沫;王亮平;孫鐵平;叢培天;吳撼宇;邱愛慈 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西北核技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | H05H1/46 | 分類號(hào): | H05H1/46 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 楊引雪 |
| 地址: | 710024 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絲陣 金屬絲 物理狀態(tài) 調(diào)控 轉(zhuǎn)型 等離子體不穩(wěn)定性 獨(dú)立電流回路 電流回路 負(fù)載結(jié)構(gòu) 脈沖驅(qū)動(dòng) 裝置高壓 陽(yáng)極 動(dòng)力學(xué) 輸出端 源參數(shù) 中負(fù)載 脈沖 根數(shù) 饋入 改進(jìn) 研究 | ||
1.一種兆安級(jí)電流下金屬絲陣早期物理狀態(tài)的調(diào)控方法,其特征在于:在僅有一個(gè)電流回路的傳統(tǒng)典型絲陣結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,在Z箍縮實(shí)驗(yàn)用裝置高壓輸出端增加反轉(zhuǎn)型絲陣連接其陰、陽(yáng)極,形成具有兩個(gè)獨(dú)立電流回路的二級(jí)絲陣結(jié)構(gòu);通過(guò)選取所述反轉(zhuǎn)型絲陣和/或傳統(tǒng)典型絲陣結(jié)構(gòu)中負(fù)載絲陣的參數(shù),即可實(shí)現(xiàn)金屬絲陣早期物理狀態(tài)的調(diào)控;所述參數(shù)包括絲陣的金屬絲長(zhǎng)度、直徑、線質(zhì)量和根數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的兆安級(jí)電流下金屬絲陣早期物理狀態(tài)的調(diào)控方法,其特征在于:所述參數(shù)選取原則是使得:
所述反轉(zhuǎn)型絲陣的初始回路電感小于所述傳統(tǒng)典型絲陣結(jié)構(gòu)中負(fù)載絲陣的初始回路電感;
所述反轉(zhuǎn)型絲陣和所述傳統(tǒng)典型絲陣結(jié)構(gòu)中負(fù)載絲陣的金屬絲長(zhǎng)度、直徑、線質(zhì)量和根數(shù)應(yīng)保證所述反轉(zhuǎn)型絲陣的關(guān)斷時(shí)間在Z箍縮實(shí)驗(yàn)用裝置主電流脈沖的前沿。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的兆安級(jí)電流下金屬絲陣早期物理狀態(tài)的調(diào)控方法,其特征在于:所述反轉(zhuǎn)型絲陣和負(fù)載絲陣均由多根沿同一圓周分布的金屬絲構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的兆安級(jí)電流下金屬絲陣早期物理狀態(tài)的調(diào)控方法,其特征在于:所述負(fù)載絲陣的初始回路電感和反轉(zhuǎn)型絲陣的初始回路電感分別根據(jù)下述公式(1)和(2)計(jì)算:
上式中,各參數(shù)含義:
Lload為負(fù)載絲陣的初始回路電感;
Linv為反轉(zhuǎn)型絲陣的初始回路電感;
Lglobal為回流柱與負(fù)載絲陣間的回路電感;
為負(fù)載絲陣中各金屬絲之間的互感;
為各回流柱之間的互感;
L附為回流柱與陰極桿和連接電極間的回路電感;
μ0為真空磁導(dǎo)率,等于4π×10-7H/m;
l為負(fù)載絲陣中單根金屬絲的有效長(zhǎng)度,具體指位于負(fù)載陰極和負(fù)載陽(yáng)極之間的單根金屬絲長(zhǎng)度;
linv為反轉(zhuǎn)型絲陣中單根金屬絲的有效長(zhǎng)度,具體指位于連接電極與反轉(zhuǎn)型絲陣支撐板之間的單根金屬絲長(zhǎng)度;
rreturn為回流柱所在圓周的半徑;
rarray為負(fù)載絲陣所在圓周的半徑;
rwires1為負(fù)載絲陣中金屬絲的半徑;
rwires2為反轉(zhuǎn)型絲陣中金屬絲的半徑;
rpost為回流柱的半徑;
rinv為反轉(zhuǎn)型絲陣所在圓周的半徑;
rcathode為陰極桿的半徑;
Nw1為負(fù)載絲陣中金屬絲的根數(shù);
Nw2為反轉(zhuǎn)型絲陣中金屬絲的根數(shù);
Nret為回流柱的個(gè)數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的兆安級(jí)電流下金屬絲陣早期物理狀態(tài)的調(diào)控方法,其特征在于:反轉(zhuǎn)型絲陣的關(guān)斷時(shí)間根據(jù)消融模型式(3)計(jì)算:
上式中,各參數(shù)含義:
Δm(t)為消融質(zhì)量;
R0為反轉(zhuǎn)型絲陣的所在圓初始半徑;
I為Z箍縮實(shí)驗(yàn)用裝置的脈沖電流;
t為電脈沖時(shí)間;
Vabl為消融等離子體的速度;
消融質(zhì)量超過(guò)50%時(shí)認(rèn)為反轉(zhuǎn)型絲陣關(guān)斷。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西北核技術(shù)研究所,未經(jīng)西北核技術(shù)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810497433.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





