[發明專利]一種黑硅鈍化膜、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 201810496376.4
• 申請日: 2018-05-22
• 公開（公告）號: CN110518075B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 葉繼春;廖明墩;曾俞衡;閆寶杰;高平奇;王丹;童慧;全成;張志
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王茹;王鋒

1.一種黑硅鈍化膜的制備方法，其特征在于包括：

提供具有黑硅絨面結構的硅片；

使所述硅片與混合溶液接觸，反應形成氧化硅薄膜，其中，所述混合溶液包括體積比為20~30：5~25：0.5~10的濃硝酸和/或過氧化氫、濃硫酸和至少用作表面活性劑的添加劑，所述添加劑包括檸檬酸、次氮基三亞甲基膦酸、檸檬酸鈉、聚乙二醇和乙酸中的任意一種或兩種以上的組合；以及，

采用等離子體增強化學氣相沉積技術在所述氧化硅薄膜表面沉積氮化硅薄膜，獲得黑硅鈍化膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述反應的溫度在60℃以下，時間在10min以下。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述反應的溫度為室溫~60℃，時間為1~10min。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述氧化硅薄膜的厚度為1~5 nm。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述氮化硅薄膜的厚度為70~90 nm。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于包括：采用等離子刻蝕或金屬催化腐蝕方法在硅片表面形成納米級的黑硅絨面結構。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述黑硅絨面結構包括納米錐結構和/或納米洞結構。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述黑硅絨面結構所含孔洞的尺寸為100~200 nm。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于：所述黑硅絨面結構所含孔洞的尺寸為250~450 nm。

10.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述硅片包括p型多晶硅片。

11.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于還包括：以濃度為1~10wt%的氫氟酸溶液去除所述硅片表面的原生氧化層。

12.由權利要求1-11中任一項所述方法制備的黑硅鈍化膜。

13.權利要求12所述的黑硅鈍化膜于制備黑硅太陽電池中的應用。

14.一種黑硅太陽電池，其特征在于包括權利要求12所述的黑硅鈍化膜。