[發(fā)明專利]一種分波段探測器及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810496044.6
• 申請日: 2018-05-22
• 公開（公告）號: CN108649081A
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設計）人: 劉新科;洪悅華;李奎龍;李治文;胡聰;王佳樂
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01L31/0336
• 分類號: H01L31/0336;H01L31/101;H01L31/18
• 代理公司: 深圳市恒申知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 袁文英

本發(fā)明公開了一種分波段探測器及其制備方法，該分波段探測器包括：SiC襯底、附于所述SiC襯底兩側的SiC材料層和MoS₂材料層，以及置于所述SiC材料層和MoS₂材料層上的電極，由于具有SiC材料層和MoS₂材料層，在其處于工作時，探測器的SiC材料層將響應波長小于380nm的紫外波段，同時探測器的MoS₂材料層將會響應波長大于380nm小于680nm的可見光波段，即本發(fā)明提供的探測器能夠?qū)崿F(xiàn)分波段響應。

技術領域

本發(fā)明涉及電子技術領域，更具體地說，涉及一種分波段探測器及其制備方法。

背景技術

探測器由于在導彈制導、導彈預警、紫外通信等軍事領域受到了廣泛的應用而受到了國內(nèi)外的高度重視和深入研究，但是現(xiàn)有的探測器不能區(qū)分紫外波段與可見光波段并分別對紫外波段與可見光波段進行響應，若能設計一種能夠針對不同波段分別進行響應的探測器將具有重要價值。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種分波段探測器及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有探測器不能分波段響應的技術問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種分波段探測器，該分波段探測器包括：SiC襯底、附于所述SiC襯底兩側的SiC材料層和MoS₂材料層，以及置于所述SiC材料層和MoS₂材料層上的電極。

可選的，SiC襯底與所述SiC材料層之間還具有SiC緩沖層，所述SiC緩沖層的厚度為20nm。

可選的，MoS₂材料層包括SiO₂層和單層的MoS₂層，所述MoS₂層位于所述SiC襯底與所述SiO₂層之間，所述SiO₂層的厚度為20nm；置于所述MoS₂材料層上的電極包括源極電極、漏極電極以及柵極電極，所述源極電極與所述漏極電極以歐姆接觸的方式設置在所述MoS₂層上；所述柵極電極以肖特基接觸的方式設置在所述SiO₂層上。

可選的，SiC材料層包括遠離所述SiC襯底方向依次置放的n⁺型SiC層、n^-型SiC層以及P⁺型SiC層；所述n⁺型SiC層的厚度為200nm，載流子濃度為10¹⁹cm^-3；所述n^-型SiC層的厚度為800nm，載流子濃度為10¹⁶cm^-3；所述P⁺型SiC層的厚度為1000nm，載流子濃度為5x10¹⁸cm^-3。

可選的，置于所述SiC材料層的電極包括置于所述P⁺型SiC層上的P型電極以及置于所述n⁺型SiC層上的n型電極；所述P型電極與所述n型電極都為歐姆接觸；所述P型電極為：厚度為35nm的Ni、厚度為50nm的Ti、或厚度為150nm的Al，所述n型電極為厚度為20nm的Ni。

進一步地，本發(fā)明還提供了一種分波段探測器的制備方法，該方法包括：

在SiC襯底的一側制備SiC材料層；

在所述SiC襯底的另一側制備MoS₂材料層；

在所述SiC材料層與所述MoS₂材料層的表面設置電極得到分波段探測器。

可選的，MoS₂材料層包括SiO₂層和單層的MoS₂層；