[發明專利]利用雙氧水溶液剝離鈦和氮化鈦膜的方法

在審

• 申請號: 201810469102.6
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN108707899A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 熊志紅;張遠
• 申請（專利權）人: 深圳仕上電子科技有限公司
• 主分類號: C23F1/14
• 分類號: C23F1/14;C23G1/24
• 代理公司: 深圳市漢唐知識產權代理有限公司 44399
• 代理人: 劉海軍

本發明公開一種利用雙氧水溶液剝離鈦和氮化鈦膜的方法，該方法包括下述步驟：1、雙氧水溶液浸泡：采用雙氧水溶液對工件進行浸泡處理，雙氧水溶液為H₂O₂：H₂O=35：65，浸泡溫度為50℃，反應時間為3?5小時，直至目測工件表面無殘留鈦膜或氮化鈦膜位置；2、漂洗：采用流動的水進行漂洗，漂洗時間大于或等于30秒；3、中和反應：采用硝氟酸進行中和反應，硝氟酸采用硝酸和氫氟酸配比而成，HNO₃：HF=20：1，反應為在常溫溫度下進行浸泡反應，反應時間為10?30S；4、純水浸泡：采用流動的水進行浸泡沖洗30分鐘以上，浸泡時應保持超純水的流動；5、干燥：將浸泡清洗后的工件放在干燥爐的治具上進行干燥處理。

技術領域

本發明公開一種覆膜剝離方法，特別是一種利用雙氧水溶液剝離鈦和氮化鈦膜的方法。

背景技術

隨著半導體和液晶顯示面板產業的不斷發展，我國的半導體產業和液晶面板產業得到了很大提升，行業產能也越來越高。半導體和液晶顯示面板等產業屬于精細化產業，其對生產設備要求非常高，因此就要求設備的零部件需要進行定期維護，以保證生產精度。

鈦膜和氮化鈦膜的化學穩定性好，熔點高達3000℃，硬度高、紅硬性好，并兼有良好的韌性、耐磨性好等優點，因此，半導體和液晶顯示面板等加工設備中的很多零部件表面都附著一層鈦膜或氮化鈦膜，以保持其性能。然而，在此種零部件維修維護時，需要對原有附著的鈦膜或氮化鈦膜進行去除，才能進行新的鈦膜或氮化鈦膜的操作，而現有技術中，去除工件表面附著的鈦膜或氮化鈦膜通常有化學溶液溶泡或采用機械剝離的方式去除等，去除效果不好，而且容易損傷工件本身。

發明內容

針對上述提到的現有技術中的工件表面的鈦膜或氮化鈦膜去除時效果不好的缺點，本發明提供一種利用雙氧水溶液剝離鈦和氮化鈦膜的方法，其利用雙氧水進行化學反應的方法去除工件表面附著的鈦或氮化鈦，效果較好。

本發明解決其技術問題采用的技術方案是：一種利用雙氧水溶液剝離鈦和氮化鈦膜的方法，該方法包括下述步驟：

（1）、雙氧水溶液浸泡：采用雙氧水溶液對工件進行浸泡處理，雙氧水溶液為H₂O₂：H₂O=（32~38）：（62~68），浸泡溫度為45℃~55℃，反應時間為3-5小時，直至目測工件表面無殘留鈦膜或氮化鈦膜位置；

（2）、漂洗：采用流動的水進行漂洗，漂洗時間大于或等于30秒；

（3）、中和反應：采用硝氟酸進行中和反應，硝氟酸采用硝酸和氫氟酸配比而成，HNO₃：HF：H₂O=（17~23）：（0.5~1.5）：（17~23），反應為在常溫溫度下進行浸泡反應，反應時間為10-30S；

（4）、純水浸泡：采用流動的水進行浸泡沖洗30分鐘以上，浸泡時應保持超純水的流動；

（5）、干燥：將浸泡清洗后的工件放在干燥爐的治具上進行干燥處理。

本發明解決其技術問題采用的技術方案進一步還包括：

所述的步驟（1）中采用的雙氧水溶液為H₂O₂：H₂O=35：65。

所述的步驟（1）中采用的水為電阻率大于或等于12MΩ.CM的超純水。

所述的步驟（1）中采用的雙氧水為濃度30-32%的雙氧水。

所述的步驟（2）中采用的水為電阻率大于或等于12MΩ.CM的超純水。

所述的步驟（3）中采用的HNO₃：HF：H₂O=20：1：20。