[發明專利]一種浮柵結構及其制備方法在審
| 申請號： | 201810456516.5 | 申請日： | 2018-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN108447900A | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發明（設計）人： | 曹開瑋 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單元結構 浮柵 浮柵結構 襯底 制備 半導體技術領域 淺槽隔離結構 電容 上表面 陣列式 隔離 延伸 | ||
1.一種浮柵結構，其特征在于，包括：
襯底；
陣列式的多個浮柵單元結構，形成于所述襯底的上表面；
淺槽隔離結構，形成于所述浮柵單元結構之間并延伸至所述襯底中，用于將相鄰的所述浮柵單元結構隔離開；
其中，每個所述浮柵單元結構的頂部形成有一凹槽。
2.根據權利要求1所述的浮柵結構，其特征在于，每個所述浮柵單元結構與所述襯底之間均制備有一絕緣層。
3.根據權利要求1所述的浮柵結構，其特征在于，所述淺槽隔離結構由氧化物制備形成。
4.一種浮柵結構的制備方法，其特征在于，包括：
步驟S1，提供一襯底，所述襯底中形成有陣列式的多個浮柵預制備結構，以及用于隔離每個所述浮柵預制備結構的淺槽隔離結構，且所述浮柵預制備結構的上表面與所述淺槽隔離結構的上表面齊平；
步驟S2，回刻每個所述浮柵預制備結構一預設厚度；
步驟S3，制備一犧牲層覆蓋回刻后的每個所述浮柵預制備結構的上表面，以及覆蓋所述淺槽隔離結構的上表面和暴露出的側壁；
步驟S4，刻蝕所述犧牲層形成覆蓋所述淺槽隔離結構暴露出的側壁的側墻；
步驟S5，以所述側墻為掩膜，刻蝕所述浮柵預制備結構，形成頂部形成有凹槽的每個浮柵單元結構。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，每個所述浮柵預制備結構與所述襯底之間均形成有一絕緣層。
6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，采用氧化物形成所述淺槽隔離結構。
7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述預設厚度為10～500埃。
8.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述凹槽為矩形凹槽。
9.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，采用氧化物制備形成所述犧牲層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢新芯集成電路制造有限公司，未經武漢新芯集成電路制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810456516.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種氮化鎵功率器件及其制作方法
- 下一篇：一種抗總劑量輻射PNP晶體管結構
- 同類專利
- 專利分類
