[發明專利]一種功率器件及其封裝方法

有效

• 申請號: 201810456260.8
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108649018B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 袁霞;翟麗麗
• 申請（專利權）人: 李友洪
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/28
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 李亮;李余江

本發明公開了一種功率器件及其封裝方法，其功率器件包括芯片、形成在所述芯片上的金屬層、形成在所述金屬層上的鈍化層和封裝層，所述鈍化層上開設有多個打線窗口，所述封裝層塞在所述打線窗口內，所述封裝層包括與所述金屬層電性連接的反射層、覆蓋在所述反射層上的第一防水層、固定在所述第一防水層上的第二防水層和引線，所述引線依次穿過所述的第一防水層和所述第二防水層與所述反射層電性連接。其可靠性高、封裝方法簡單。

技術領域

本發明涉及功率半導體芯片封裝技術，尤其涉及一種功率器件及其封裝方法。

背景技術

隨著半導體技術在工業生產自動化、計算機技術、通訊技術中的廣泛應用，以及電子設備的復雜程度不斷加大，對于功率器件的可靠性要求也越來越高。在早期的各種封裝形式中，陶瓷等氣密性封裝可靠性最高。而早期的塑料封裝由于水汽擴散問題未能解決，可靠性難以同氣密性封裝相比。隨著材料和工藝的不斷改進，目前，塑料封裝的可靠性在某些方面己接近或達到了陶瓷等氣密性封裝的水平。

但現有塑料封裝方法較復雜，且可靠性較低。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明的目的之一在于提供一種功率器件，其可靠性高、封裝方法簡單；

本發明的目的之二在于提供一種功率器件的封裝方法。

本發明的目的之一采用以下技術方案實現：

一種功率器件，其包括芯片、形成在所述芯片上的金屬層、形成在所述金屬層上的鈍化層和封裝層，所述鈍化層上開設有多個打線窗口，所述封裝層塞在所述打線窗口內，所述封裝層包括與所述金屬層電性連接的反射層、覆蓋在所述反射層上的第一防水層、固定在所述第一防水層上的第二防水層和引線，所述引線依次穿過所述的第一防水層和所述第二防水層與所述反射層電性連接。

優選的，所述第一防水層為光敏聚酰亞胺，所述第一防水層通過光固化形成。

優選的，所述第二防水層為氮化硅。

優選的，所述引線為鋁線，所述反射層為氮化鈦。

本發明的目的之二采用以下技術方案實現：

一種上述功率器件的封裝方法，包括步驟：

A、在所述鈍化層上開設多個打線窗口；

B、在所述打線窗口的底部制備反射層；

C、在所述氮化鈦反射層上連接引線；

D、在所述鈍化層以及打線窗口上制備光固化的第一防水層；

E、在所述第一防水層上制備第二防水層；

F、固化多個打線窗口上的第一防水層固化；

G、洗掉不在多個打線窗口上的第一防水層和第二防水層，待第二防水層固化后完成封裝。

進一步地，所述第一防水層為光敏聚酰亞胺，所述第一防水層通過光固化形成，所述第二防水層為氮化硅，所述引線為鋁線，該反射層為氮化鈦。

進一步地，步驟F中紫外光照射的時間為15-45分鐘。

進一步地，步驟F中紫外光照射的時間為30分鐘。

進一步地，步驟G中的清洗液為堿性清洗液。

進一步地，所述步驟B還包括步驟B1，形成反射層后用酸液清洗掉多余的氮化鈦。

相比現有技術，本發明的有益效果在于：

本發明功率器件上的第一防水層和第二防水層均設置在所述打線窗口內，不在鈍化層上，不影響鈍化層的使用，使器件的可靠性增加；由于其鈍化層上沒有防水層，所以其功率器件封裝時不需要進行平坦化，而使其封裝方法簡單。