[發明專利]圖像傳感器及其形成方法

在審

• 申請號: 201810455117.7
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108666334A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 何延強;林宗德;黃仁德;李曉明;何玉坤
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一區和第二區，所述第一區基底內具有光電摻雜區，所述基底包括相對的第一面和第二面；

在所述第二區基底內形成第一開口，所述第一面暴露出第一開口；

在所述第一開口內形成連接層，所述連接層包括相對的第三面和第四面，且所述第一開口暴露出所述第三面；

在所述第三面和第一面形成介質層，所述介質層內具有第一插塞，且所述第一插塞與第三面接觸；

在所述第二區基底內形成第二開口，所述第二面暴露出第二開口，且所述第二開口底部暴露出連接層的第四面。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，形成所述第二開口之后，所述形成方法還包括：在所述第二開口的側壁形成第一保護層；形成所述第一保護層之后，在所述第二開口內形成第二插塞，所述第二插塞充滿第二開口。

3.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述基底的厚度為：4微米～6微米。

4.如權利要求3所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一開口的深度為：2.4微米～2.6微米；所述第一開口的寬度為：1.0微米～1.2微米。

5.如權利要求3所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二開口的深度為2.4微米～2.6微米；所述第二開口的寬度為：0.8微米～1.0微米。

6.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述連接層的形成方法包括：在所述第一開口內和第一面形成連接材料膜；平坦化所述連接材料膜，直至暴露出第一面；暴露出第一面之后，回刻蝕部分連接材料膜，形成連接層，所述連接層的第三面低于第一面。

7.如權利要求6所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述連接材料膜的材料為金屬。

8.如權利要求6所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述連接材料膜的材料為半導體材料，所述連接材料膜內含有摻雜離子；所述摻雜離子的摻雜濃度為：1.0e19atm/cm²～1e20atm/cm²；所述摻雜離子為N型離子或者P型離子；所述連接材料膜的厚度5000埃～8000埃。

9.如權利要求8所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述連接材料膜的形成工藝包括化學氣相沉積工藝，在所述連接材料膜內摻入摻雜離子的工藝包括原位摻雜工藝；當所述連接材料膜的材料為硅，所述摻雜離子為磷離子時，所述原位摻雜工藝的參數包括：溫度為550攝氏度～750攝氏度。

10.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：在第一區第一面基底表面形成第一柵極結構，所述光電摻雜區位于第一柵極結構的一側；在所述第一柵極結構另一側的基底內形成浮置擴散區，所述浮置擴散區和光電摻雜區分別位于第一柵極結構相對的兩側。

11.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述基底還包括位于第一區和第二區之間的第三區；所述形成方法還包括：在所述第三區第一面形成第二柵極結構；在所述第二柵極結構兩側的基底內分別形成源漏摻雜區。

12.如權利要求11所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，形成所述第二柵極結構之前，所述形成方法包括：在所述連接層第三面形成緩沖層和位于緩沖層表面的第二保護層。

13.如權利要求12所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述緩沖層的材料包括氧化硅；所述第二保護層的材料包括氮化硅。