[發明專利]一種碳化硅陶瓷及其制備方法有效
| 申請號： | 201810449414.0 | 申請日： | 2018-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN108455988B | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 郭偉明;曾令勇;牛文彬;林華泰 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | C04B35/565 | 分類號： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張春水;唐京橋 |
| 地址： | 510060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：將碳化硅粉體、氧化鋁粉體、Re2O3粉體混合得到碳化硅-氧化鋁-Re2O3混合粉體，其中，Re為釔元素、鑭元素、鈰元素、鐠元素、釹元素、钷元素、釤元素、銪元素、釓元素、鋱元素、鏑元素、鈥元素、鉺元素、銩元素、鐿元素或镥元素；
步驟2：將所述碳化硅-氧化鋁-Re2O3混合粉體和二硼化鉭粉體經混料后得到碳化硅-氧化鋁-Re2O3-二硼化鉭混合粉體；
步驟3：將所述碳化硅-氧化鋁-Re2O3-二硼化鉭混合粉體通過造粒、燒結得到所述碳化硅陶瓷；
步驟1中所述碳化硅粉體、所述氧化鋁粉體和所述Re2O3粉體的質量比為90：6：4；
步驟2中所述碳化硅-氧化鋁-Re2O3混合粉體與所述二硼化鉭粉體的體積比為(80～100)：(0.01～20)；
步驟3中所述燒結為熱壓燒結。
2.根據權利要求1所述的一種碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟2中所述混料為濕混。
3.根據權利要求2所述的一種碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述濕混的溶劑為乙醇和/或丙酮。
4.根據權利要求1所述的一種碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述熱壓燒結的壓強為25～35MPa。
5.根據權利要求1所述的一種碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述熱壓燒結的溫度為1700～2000℃。
6.根據權利要求1所述的一種碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述熱壓燒結的升溫速率為5～20℃/min。
7.一種碳化硅陶瓷，其特征在于，由權利要求1～6任意一項所述的一種碳化硅陶瓷的制備方法制得。
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