[發明專利]閘閥裝置和基板處理系統

有效

• 申請號: 201810442611.X
• 申請日: 2018-05-10
• 公開（公告）號: CN108878245B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 大森貴史;鍋山裕樹;三枝直也;伊藤毅
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供一種閘閥裝置和基板處理系統，目的在于抑制基板的搬入搬出口的變形。閘閥裝置與形成于在減壓環境下對基板實施規定的處理的處理容器的側壁的基板的搬入搬出口連接，包括：壁部，其形成有與搬入搬出口連通的開口部；和楔部件，其被插入位于開口上部的槽和位于搬入搬出口上部的槽，從搬入搬出口上部的槽的上表面支承搬入搬出口上部，其中，上述開口部是形成于壁部的開口部之上的部分，上述搬入搬出口上部是形成于處理容器的側壁的搬入搬出口之上的部分。

技術領域

本發明的各個方面和實施方式涉及閘閥裝置和基板處理系統。

背景技術

已知有對FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板等基板進行所期望的等離子體處理的基板處理系統。基板處理系統例如包括對基板進行等離子體處理的處理模塊、收納進行基板的搬入和搬出的輸送裝置的輸送模塊以及設置在處理模塊與輸送模塊之間的閘閥裝置等。

處理模塊具有在減壓環境下對基板進行等離子體處理的處理容器、在處理容器內配置有載置基板并作為下部電極發揮作用的載置臺(以下稱為“基座”)和與基座相對的上部電極。此外，基座和上部電極的至少一方連接有高頻電源，在基座與上部電極之間的空間被施加高頻電力。

在處理模塊中，利用高頻電力將供給至基座與上部電極之間的空間的處理氣體等離子體化而產生離子等，將所產生的離子等引導至基板，對基板實施所期望的等離子體處理，例如等離子體蝕刻處理。

此外，在處理容器的側壁形成有用于基板的搬入和搬出的搬入搬出口。閘閥裝置與處理容器的側壁的搬入搬出口連接。而且，在基板的搬入和搬出時通過閘閥裝置的動作進行搬入搬出口的開閉。

閘閥裝置例如具有壁部，該壁部形成有與處理模塊的基板的搬入搬出口連通的開口部。因為FPD用的玻璃基板的尺寸非常大，所以搬入搬出口與開口部需要精準對位。因此，通過在形成于壁部的開口部之上的部分(以下稱為“開口上部”)的槽和形成于處理容器的側壁的搬入搬出口之上的部分(以下稱為“搬入搬出口上部”)的槽插入楔部件，進行閘閥裝置側開口部與處理容器側的搬入搬出口的對位。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第4546460號公報

專利文獻2：日本特開2009-230870號公報

專利文獻3：日本專利第3043848號公報

專利文獻4：日本特開2015-81633號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

但是，在閘閥裝置側的開口部與處理容器側搬入搬出口的對位中，在開口上部的槽與搬入搬出口上部的槽插入楔部件的情況下，一般通過調整分別形成在開口上部與搬入搬出口上部的槽與楔部件的高度方向的位置，使得楔部件載置于搬入搬出口上部的槽的下表面。由此，處理容器的側壁的搬入搬出口上部通過載置于搬入搬出口上部的槽的下表面的楔部件支承閘閥裝置的側壁的開口上部。

但是，在處理容器的側壁的搬入搬出口上部支承閘閥裝置的壁部的開口上部的結構中，在處理容器內被減壓的減壓環境下，施加于大氣壓相應的壓力，向搬入搬出口上部施加于閘閥裝置的自重相應的力。因此，搬入搬出口上部翹曲，搬入搬出口發生變形。搬入搬出口的變形成為使處理容器內的氣密性降低的重要原因，并不優選。

特別是近年來，基于提高在處理容器內產生的等離子體的均勻性的觀點，存在在處理容器內基座與上部電極的間隔變短，且處理容器的側壁的搬入搬出口上部的厚度變薄的趨勢。處理容器內的側壁的搬入搬出口上部的厚度越薄，搬入搬出口上部的翹曲就會越大，因此存在搬入搬出口的變形進一步增大的問題。

用于解決技術問題的技術方案