[發明專利]一種利用多晶材料制備單晶電容的方法

有效

• 申請號: 201810441359.0
• 申請日: 2018-05-10
• 公開（公告）號: CN108598261B
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 王超;趙云馳;魏紅祥;孫陽
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 11280 北京泛華偉業知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭廣迅

1.一種利用多晶材料制備單晶電容的方法，所述方法包括以下步驟：

(1)在襯底上制備電容的測試電極；

(2)利用聚焦離子束-電子束雙束系統的電子束背散射衍射標定并選取多晶材料中的單晶顆粒；

(3)利用聚焦離子束-電子束雙束系統的聚焦離子束在步驟(2)中選取的單晶顆粒上刻蝕出兩個平行溝槽，在兩個刻蝕出的平行溝槽內沉積電絕緣保護層，利用聚焦離子束-電子束雙束系統提取具有電絕緣保護層的單晶顆粒；

(4)從具有電絕緣保護層的單晶顆粒的、除了具有所述電絕緣保護層之外的一側或相對的兩側刻蝕單晶顆粒至目標厚度；

(5)以任意的順序，在刻蝕至目標厚度的單晶顆粒上進行以下步驟(a)和(b)，從而制得電容：

(a)在單晶顆粒的、除了具有所述電絕緣保護層之外的兩側形成電容電極；

(b)刻蝕去除單晶顆粒上部多余的部分；

(6)將步驟(5)中制得的電容的電容電極與步驟(1)中制得的測試電極連接。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底材料選自Si、Ge、SiO₂、SiO₂/Si、MgO、Al₂O₃、AlN、GaN、GaAs、GaP、ZnO、CdTe、ZnSe、ZnS、CdS、CdTe、SeAsTe、HgCdTe、ZnCdTe、LiAlO₂、SiC、ScAlMgO₄、MgAl₆O₁₀、SiTiO₃、LaAlO₃、摻釔氧化鋯、鋁酸鍶鉭鑭、KTaO₃、NdGaO₃、LaSrAlO₄、MgAl₂O₄、SiN、BaTiO₃、DyScO₃、GdScO₃、摻鈮鈦酸鍶、Gd₃Ga₅O₁₂、摻鐵鈦酸鍶、Tb₃Ga₅O₁₂、NaCl、KBr、TiO₂、CaCO₃、LiNbO₃、YAlO₃、YVO₄、LiTaO₃、Nd:GdVO₄、TeO₂、BaF₂、MgF₂、CaF₂、LiF、PbWO₄、釔鐵石榴石、摻鈰釔鋁石榴石、鍺酸鉍、硅酸鉍、陶瓷、玻璃、石英、云母和柔性材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底材料選自Hg_1-xCd_xTe，式Hg_1-xCd_xTe中x為0≤x≤1。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，式Hg_1-xCd_xTe中x為0.1≤x≤0.9。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底材料選自Zn_1-xCd_xTe，式Zn_1-xCd_xTe中x為0≤x≤1。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，式Zn_1-xCd_xTe中x為0.1≤x≤0.9。

7.根據權利要求2所述的方法，其中，所述柔性材料為聚乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚丙烯膜或聚二甲基硅氧烷膜。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底為SiO₂/Si或MgO。