[發(fā)明專利]鑭系金屬摻雜二氧化鈰納米磨粒的制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810440980.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108410424B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程潔;李楊;路新春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C09K3/14 | 分類(lèi)號(hào): | C09K3/14;C09G1/02 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 10008*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 摻雜 氧化 納米 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了鑭系金屬摻雜二氧化鈰納米磨粒的制備方法和應(yīng)用,其中,制備方法包括:(1)測(cè)量二氧化鈰納米粉體的吸水率;(2)配制鑭系金屬硝酸鹽溶液,并對(duì)所述二氧化鈰納米粉體進(jìn)行等體積浸漬、陳化、烘干、焙燒和研磨,以便得到所述鑭系金屬摻雜的二氧化鈰納米磨粒。采用該方法不僅可以有效制備得到鑭系金屬元素?fù)诫s的二氧化鈰納米磨粒,而且利用該鑭系金屬元素?fù)诫s的二氧化鈰納米磨粒對(duì)介質(zhì)材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光,可以在低磨粒含量下實(shí)現(xiàn)較高的材料去除速率和拋光后表面質(zhì)量,尤其能使介質(zhì)材料在堿性條件下兼具較高的拋光速率和表面質(zhì)量,從而實(shí)現(xiàn)理想的化學(xué)機(jī)械拋光效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于材料領(lǐng)域,具體而言,本發(fā)明涉及鑭系金屬摻雜二氧化鈰納米磨粒的制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)
二氧化鈰(CeO2)磨粒由于具有可控的異質(zhì)材料選擇去除特性,被廣泛應(yīng)用于集成電路介質(zhì)材料的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程。相較于傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO2)和氧化鋁(Al2O3)等磨粒,CeO2磨粒的最大特點(diǎn)是同時(shí)具有機(jī)械磨削作用和化學(xué)反應(yīng)活性。CeO2具有螢石型原子排列,表面具有Ce3+,并且可以與Ce4+相互轉(zhuǎn)化。CeO2表面的Ce3+能提高CeO2與介質(zhì)材料表面水合層之間的相互作用,從而顯著提高拋光速率,以SiO2介質(zhì)的化學(xué)機(jī)械拋光為例,具體作用原理為:Ce3+可以與SiO2表面的-Si-OH發(fā)生反應(yīng),形成Ce-O-Si鍵。Ce-O-Si鍵的強(qiáng)度大于Si-O-Si鍵的強(qiáng)度,繼而表層SiO2以Si(OH)4的形式進(jìn)入拋光液中,在化學(xué)和機(jī)械雙重作用下,實(shí)現(xiàn)材料去除。
然而,CeO2磨粒在水基拋光液中的分散特性不理想、拋光后容易在晶圓表面產(chǎn)生劃痕。目前提高CeO2磨粒的化學(xué)機(jī)械拋光特性的主要方法是表面改性,以改善荷電特性和溶液中的穩(wěn)定性,如專利CN106590442A報(bào)導(dǎo)將CeO2粉體加入硅烷基偶聯(lián)劑化合物與有機(jī)溶液的混合溶液中以提高其在拋光漿料的穩(wěn)定性,雖然有機(jī)官能團(tuán)嫁接的方法能夠一定程度上改善CeO2在拋光液中的分散特性,但不能保證介質(zhì)材料的去除速率;元素?fù)诫s是對(duì)CeO2進(jìn)行改性的較好的方式,但純CeO2有兩方面的缺陷:燒結(jié)影響了螢石原來(lái)的構(gòu)造,儲(chǔ)放氧的能力大大減弱;氧缺陷少,氧離子傳輸能力弱。很多種類(lèi)金屬的摻雜均能加快Ce4+轉(zhuǎn)化為 Ce3+。專利CN101970347A報(bào)導(dǎo)使用金屬元素釔體相摻雜CeO2顆粒,可以降低拋光過(guò)程中的誘發(fā)缺陷率。金屬元素體相摻雜CeO2在光催化領(lǐng)域有較好的應(yīng)用前景,但由于制備過(guò)程容易破壞CeO2的固有晶體結(jié)構(gòu),因而難以保持CeO2磨粒的優(yōu)良特性,在化學(xué)機(jī)械拋光領(lǐng)域受到一定限制。
根據(jù)以上分析,我們可以期望使用鑭系金屬表面摻雜的方式,在不改變固有晶體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,提高CeO2的化學(xué)機(jī)械拋光特性(如材料去除速率、表面質(zhì)量等)。通過(guò)調(diào)節(jié)摻雜的工藝參數(shù)(如摻雜方法、元素種類(lèi)、負(fù)載量、焙燒溫度等),獲得同時(shí)具有較高化學(xué)反應(yīng)活性和較好分散形態(tài)的CeO2磨粒。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此,本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出鑭系金屬摻雜二氧化鈰納米磨粒的制備方法和應(yīng)用。采用該方法不僅可以有效制備得到鑭系金屬元素?fù)诫s的二氧化鈰納米磨粒,而且利用該鑭系金屬元素?fù)诫s的二氧化鈰納米磨粒對(duì)介質(zhì)材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光,可以在低磨粒含量下實(shí)現(xiàn)較高的材料去除速率和拋光后表面質(zhì)量,尤其能使介質(zhì)材料在堿性條件下兼具較高的拋光速率和表面質(zhì)量,從而實(shí)現(xiàn)理想的化學(xué)機(jī)械拋光效果。
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