[發(fā)明專利]一種可單片集成的正溫度系數(shù)補(bǔ)償振蕩器電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810440960.8 | 申請日: | 2018-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN108631728B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張梁堂;蔡志猛;李志陽;楊靜;湯麗華 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門華廈學(xué)院 |
| 主分類號: | H03B5/04 | 分類號: | H03B5/04;H03B5/12 |
| 代理公司: | 廈門仕誠聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 樂珠秀 |
| 地址: | 361024 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 單片 集成 溫度 系數(shù) 補(bǔ)償 振蕩器 電路 | ||
1.一種可單片集成的正溫度系數(shù)補(bǔ)償振蕩器電路,其特征在于:包括啟動電路、偏置電路、溫度補(bǔ)償電路和振蕩器電路;
所述啟動電路包括P型場效應(yīng)管MP1、MP2,N型場效應(yīng)管MN1、MN2和電容C1;P型場效應(yīng)管MP2和N型場效應(yīng)管MN2在電源電壓VDD上電初始時(shí),為三極管Q1提供初始電流,同時(shí)P型場效應(yīng)管MP2對電容C1充電;當(dāng)電源電壓VDD上電過程結(jié)束后,電容C1上極板被充電到高電平VDD,P型場效應(yīng)管MP2源端和漏端達(dá)到相同電平,無電流通過,N型場效應(yīng)管MN2脫離主電路,完成啟動過程;
所述偏置電路包括P型場效應(yīng)管MP3、MP4、MP5,三極管Q1、Q2和電阻R1、R2;P型場效應(yīng)管MP4的電流由以下式子決定:
其中,VbeQ1和VbeQ2分別為三極管Q1和Q2基極與發(fā)射極正向?qū)妷海籚T為熱電壓;IC1和IC2分別為三極管Q1和Q2的集電極電流,本例中IC1=IC2;IS1和IS2為三極管Q1和Q2的集電極飽和電流,IS1和IS2分別跟三極管Q1和Q2的基極-發(fā)射極結(jié)面積有關(guān),本例中設(shè)定三極管Q2的基極-發(fā)射極結(jié)面積為Q1的N倍,即IS2=N*IS1;則式子可以簡化為:
P型場效應(yīng)管MP4和MP5構(gòu)成電流鏡,P型場效應(yīng)管MP5的寬長比為P型場效應(yīng)管MP4的M倍,因此兩者的漏端電流成比例關(guān)系:
Id(MP5)=M*Id(MP4)
忽略PNP型三極管Q3的基極電流,因此流經(jīng)電阻R2的電流即為P型場效應(yīng)管MP5漏端的電流;假設(shè)相同類型電阻R1、R2的阻值比例系數(shù)為K,即R2/R1=K,則PNP型三極管Q3的基極電壓為:
其中,M、N和K均為比例常數(shù),VT為溫度系數(shù)為+0.087mV/℃的熱電壓,因此V3具有正溫度系數(shù);
所述溫度補(bǔ)償電路包括電阻R3、R4,修調(diào)電阻陣列Rtrim,PNP型三極管Q3,NPN型三極管Q4和P型場效應(yīng)管MP6;P型場效應(yīng)管MP6的電流由以下式子決定:
其中,VbeQ3和VbeQ4分別為PNP型三極管Q3和NPN型三極管Q4的基極與發(fā)射極正向?qū)妷海渲到葡嗟龋琑trim為修調(diào)電阻陣列,選用不同正溫度系數(shù)的電阻組合,用以微調(diào)V3的正溫度系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可單片集成的正溫度系數(shù)補(bǔ)償振蕩器電路,其特征在于:所述P型場效應(yīng)管MP1和MP2的溝道長度大于溝道寬度,為倒比管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可單片集成的正溫度系數(shù)補(bǔ)償振蕩器電路,其特征在于:所述偏置電路中的電阻R1、R2為相同類型電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可單片集成的正溫度系數(shù)補(bǔ)償振蕩器電路,其特征在于:所述修調(diào)電阻陣列Rtrim選用不同正溫度系數(shù)的電阻組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可單片集成的正溫度系數(shù)補(bǔ)償振蕩器電路,其特征在于:所述振蕩器電路中的電容C2為MIM電容,其電容值具有負(fù)溫度特性,即隨著溫度的上升,電容值減小。
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