[發明專利]載體基板及其制造方法以及制造半導體封裝件的方法

有效

• 申請號: 201810438061.4
• 申請日: 2018-05-09
• 公開（公告）號: CN109841589B
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發明（設計）人: 李在彥;鄭泰成;高永寬;崔益準;卞貞洙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/492
• 分類號: H01L23/492;H01L21/683;H01L21/48
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 馬金霞;孫麗妍

1.一種載體基板，包括：

芯層；

第一金屬層，設置在所述芯層上，并且覆蓋所述芯層的上表面的全部和側表面；

釋放層，直接設置在所述第一金屬層上，并且具有可脫離特性；及

第二金屬層，直接設置在所述釋放層上，

其中，所述釋放層和所述第二金屬層具有相同或相應的圖案以形成按照預定的間距彼此物理地分開的多個單元圖案部，在平面圖中所述多個單元圖案部中的每個的面積小于所述芯層的面積。

2.根據權利要求1所述的載體基板，其中，所述多個單元圖案部中的每個的側表面相對于所述芯層的表面具有銳角的傾斜角。

3.根據權利要求1所述的載體基板，其中，所述芯層為玻璃板。

4.根據權利要求1所述的載體基板，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層中的每個包括多個堆疊層。

5.根據權利要求4所述的載體基板，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層中的每個包括鈦層和銅層的堆疊體。

6.根據權利要求5所述的載體基板，其中，所述第二金屬層的所述銅層比所述第一金屬層的所述銅層厚。

7.根據權利要求1所述的載體基板，其中，所述第一金屬層包括利用不同的金屬形成且順序地堆疊的兩個金屬層。

8.根據權利要求1所述的載體基板，其中，所述釋放層為無機釋放層。

9.一種制造半導體封裝件的方法，包括：

設置載體基板，所述載體基板包括：芯層；第一金屬層，設置在所述芯層上，并且覆蓋所述芯層的上表面的全部和側表面；釋放層，直接設置在所述第一金屬層上，并且具有可脫離特性；及第二金屬層，直接設置在所述釋放層上，其中，所述釋放層和所述第二金屬層具有相同或相應的圖案以形成按照預定的間距彼此物理地分開的多個單元圖案部，在平面圖中所述多個單元圖案部中的每個單元圖案部的面積小于所述芯層的面積；

在所述多個單元圖案部中的每個單元圖案部上形成中介層；

對所述載體基板和在所述多個單元圖案部上的所述中介層執行切割工藝，以使所述多個單元圖案部彼此絕緣；

在已經被切割的每個單元圖案部上的所述中介層上設置多個半導體芯片；

在已經被切割的每個相應的單元圖案部上的所述中介層上形成包封件，以包封在每個中介層上的所述多個半導體芯片；

對已經被切割并且具有所述包封件的每個單元圖案部進行修整，以使得所述多個半導體芯片中的一個或更多個彼此絕緣；及

使已經被修整的每個單元圖案部與已經被切割的每個中介層分離。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，分離已經被修整的每個單元圖案部的步驟包括使已經被修整的所述每個單元圖案部的所述釋放層和所述第二金屬層彼此分離。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，在分離已經被修整的每個單元圖案部之后，使用蝕刻工藝去除在已經被修整的每個中介層上剩余的所述第二金屬層。

12.一種制造載體基板的方法，包括；

在芯層的全部上表面和側表面上形成第一金屬層；

在所述第一金屬層的上表面上直接形成釋放層，所述釋放層具有可脫離特性；

形成第二金屬層以直接覆蓋所述釋放層的全部上表面，其中，所述釋放層和所述第二金屬層被圖案化以具有相同或相應的圖案并形成按照預定的間距彼此彼此物理地分開的多個單元圖案部；及

在所述多個單元圖案部之間的位置處切割其上形成有所述第一金屬層、所述釋放層和所述第二金屬層的所述芯層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述芯層為玻璃板，所述第一金屬層包括利用不同的金屬形成且順序地堆疊的兩個金屬層，并且所述第二金屬層包括利用不同的金屬形成且順序地堆疊的兩個金屬層。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，形成所述釋放層的步驟包括形成覆蓋所述第一金屬層的上表面的全部的所述釋放層，

形成所述第二金屬層的步驟包括形成覆蓋所述釋放層的上表面的全部的所述第二金屬層。