[發明專利]光電模塊有效
| 申請號: | 201810433193.8 | 申請日: | 2013-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN108511538B | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發明(設計)人: | 哈特穆特·拉德曼;亞歷山大·比特斯;蘇珊·韋斯藤赫費爾;西蒙·古布斯爾 | 申請(專利權)人: | 赫普塔岡微光有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0232 | 分類號: | H01L31/0232;H01L31/167;G01S7/481;G01S17/04 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;吳啟超 |
| 地址: | 新加坡新加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 模塊 | ||
1.一種制造多個光學近程傳感器模塊的方法,所述方法包含:
提供具有第一表面的襯底晶片,在所述第一表面上安裝有多個光發射器并且安裝有多個光檢測器,其中每個光發射器鄰近所述光檢測器中的對應的一個光檢測器安置,所述光發射器和光檢測器以一配置安裝在所述襯底晶片上,及其中所述光發射器可操作以發射第一波長的光,且所述光檢測器可操作以檢測所述第一波長的光;
提供由含炭黑的非透明聚合物材料構成的墊片晶片,其中所述墊片晶片具有開口,所述開口的配置實質對應于所述襯底晶片上的所述光發射器和光檢測器的配置;
提供包含阻擋部分的光學晶片,所述阻擋部分實質上減弱或阻擋所述第一波長的入射光,所述光學晶片進一步包含對所述第一波長的光透明的多個第一透明部分和第二透明部分,所述第一透明部分和第二透明部分被配置為對應于所述襯底晶片上的所述光發射器和光檢測器,其中透鏡構件附接于每一所述第一透明部分和所述第二透明部分;
準備晶片堆疊,其中所述墊片晶片配置在所述襯底晶片與所述光學晶片之間,以便將所述光發射器和光檢測器安置在所述襯底晶片與所述光學晶片之間,其中所述光發射器和所述光檢測器由所述墊片晶片的各個部分包圍,其中所述墊片晶片的各個部分使每個特定光發射器與它的對應的光檢測器分離,及其中所述光學晶片的每個第一透明部分安置在所述光發射器的各個上方,且所述光學晶片的每個第二透明部分安置在所述光檢測器的各個上方;及
將晶片堆疊分離為多個模塊,所述多個模塊中每一個包括所述光發射器中的一個和所述光檢測器中的一個。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述光發射器為發光二極管,且所述光檢測器為光電二極管。
3.如權利要求1所述的方法,其中所述墊片晶片對由所述光發射器發射的光是實質非透明的。
4.如權利要求1所述的方法,其中所述聚合物材料包含環氧樹脂材料,及其中所述炭黑經嵌入所述環氧樹脂材料中。
5.如權利要求1所述的方法,其中所述墊片晶片由熱固化環氧樹脂材料構成。
6.如權利要求1所述的方法,其中所述墊片晶片的所述聚合物材料含有至少0.7%的炭黑。
7.如權利要求1所述的方法,其中所述墊片晶片的所述聚合物材料含有至少0.8%的炭黑,且所述墊片晶片對由所述光發射器發射的光是實質非透明的。
8.如權利要求1所述的方法,其中所述聚合物材料中的所述炭黑的量足夠高以使穿透所述墊片晶片的壁部分的光的透射率在由所述光發射器發射的光的波長處不大于0.1%。
9.如權利要求1所述的方法,其中所述聚合物材料中的所述炭黑的量足夠高以使所述墊片晶片的壁部分中的光的吸光度在由所述光發射器發射的光的波長處至少為3。
10.如權利要求1所述的方法,其中所述聚合物材料包括丙烯酸酯、聚氨酯或有機硅材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





