[發(fā)明專利]一種適用于APD陣列的帶有高壓保護的電荷靈敏放大器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810425616.1 | 申請日: | 2018-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN108696253A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 邱赫梓;魯文高;金美岑 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號: | H03F1/30 | 分類號: | H03F1/30;H03F3/70 |
| 代理公司: | 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 張肖琪 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 信號處理電路 高壓保護 輸入相 電荷靈敏放大器 高壓保護電路 靈敏放大器 探測器接口 可調(diào)增益 耐高壓 旁路 耐高壓電路 運算放大器 電路設(shè)計 調(diào)整增益 輸出復(fù)位 輸出檢測 系統(tǒng)穩(wěn)定 自動復(fù)位 輸入端 電容 跨接 輸出 應(yīng)用 | ||
一種工作于需要耐高壓電路的電荷靈敏放大器,可以應(yīng)用于APD探測電路的輸入端保護。包括探測器接口、高壓保護電路、運算放大器、跨接電容、信號處理電路。探測器接口與旁路高壓保護相連接,旁路高壓保護與可調(diào)增益的耐高壓靈敏放大器輸入相連接,可調(diào)增益的耐高壓靈敏放大器輸出與信號處理電路輸入相連接,信號處理電路會輸出復(fù)位信號與高壓保護電路輸入相連接,同時信號處理電路也會輸出檢測的結(jié)果。本發(fā)明APD保護電路設(shè)計合理,可以調(diào)整增益幅度,可進行自動復(fù)位,系統(tǒng)穩(wěn)定。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明設(shè)計光電成像技術(shù),是一種工作于線性模式的APD陣列的成像讀出電路,屬于微電子及光電子領(lǐng)域。
背景技術(shù)
在軍用、民用的光電成像領(lǐng)域,雪崩光電二極管(APD)可以用來探測單個光子信號的新型高靈敏探測傳感器件。其工作原理是利用內(nèi)部強電場作用,產(chǎn)生雪崩倍增效應(yīng)。因為APD靈敏度高、響應(yīng)速度塊,并且可以陣列化,因此常用于微弱信號檢測、光線通訊等軍事監(jiān)控和民用通訊等領(lǐng)域的探測器和接收。
焦平面陣列一般由探測器陣列和讀出電路(ROIC)組成,其中探測器的作用是將微弱的光信號轉(zhuǎn)化為微弱的電流信號。工作于線性模式的電路所產(chǎn)生的信號電流與光信號成正比。讀出電路的作用是,將微弱的電信號轉(zhuǎn)化為處理機可處理的電信號或數(shù)字信號。在電路工作過程中,因為探測器陣列中的像素可能因擊穿而失效短路,N on P型雪崩二極管在擊穿后,電路會產(chǎn)生負幾十伏的電壓,導(dǎo)致在硅片上產(chǎn)生一個較大的泄漏電流,容易將芯片燒毀。
本實例的高壓保護電路即為解決N型雪崩二極管失效后,對于芯片內(nèi)部其余電路進行保護,使得芯片其余部分仍然可正常工作,以達到提高產(chǎn)品耐用度、成品率。因此設(shè)計一個可靠的高壓保護電路,是目前雪崩光電二極管讀出電路的常見做法。
發(fā)明內(nèi)容:
本發(fā)明提供了一種用于APD需要耐高壓電路的電荷靈敏放大器,本發(fā)明原理時利用探測器產(chǎn)生的光電流信號的脈沖判斷光源,將該時刻的信息存儲,從而產(chǎn)生目標距離的3D坐標信息。通過電路產(chǎn)生的脈沖間隔確定探測器與物體之間的距離。
本實例適用于N on P APD,該APD工作于負電壓區(qū)。對于常規(guī)結(jié)構(gòu),如果MOS管的柵或源漏直接與探測電路連接,當(dāng)探測器發(fā)生意外擊穿時,MOS管的柵會被擊穿,源漏則會導(dǎo)致PN結(jié)正偏,產(chǎn)生漏電流,使得電路失效。本專利的特殊設(shè)計可以保證在探測器失效時,余下讀出電路仍能繼續(xù)工作不受影響。
本專利設(shè)計中,探測器件輸出與一個漏端耐高壓的PMOS、兩個耐高壓的電容相連接。耐高壓管在工作時充當(dāng)復(fù)位管,使得APD探測器在工作時保持一個固定電平,兩個耐高壓電容C0、C1,其中一個電容C0與電流靈敏放大器的負輸入端相連,另一個C1與電流靈敏放大器的輸出端相連接。這樣的連接模式使得與耐高壓結(jié)點連接的有源器件僅有一個高壓管。當(dāng)探測器擊穿時,與探測器相連的節(jié)點電壓會被拉低到負幾十伏,但由于與高壓管連接,另一端是耐高壓的電容。本專利提出的結(jié)構(gòu)在可以使APD正常工作的同時,起到保護電路的效果。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種工作于線性模式APD的主動成像保護電路,其特征在于設(shè)有探測器、高壓保護電路、電流靈敏放大器 (CSA)、溢出檢測電路、增益控制電路、高通濾波器、及復(fù)位控制部分。探測器輸出與高壓保護電路輸入相連接,高壓保護電路的輸出與電流靈敏放大器輸入連接;電流靈敏放大器輸出與溢出檢測電路輸入、高通濾波器輸入連接;高通濾波器輸出、溢出檢測電路輸出與復(fù)位控制連接;復(fù)位控制輸出與高壓保護電路輸入連接。
本發(fā)明優(yōu)點及顯著效果:
(1)本保護電路可以實現(xiàn)對N on P型APD的保護,需要高壓保護管數(shù)量少,適用大規(guī)模陣列。
(2)本發(fā)明可以同時進行APD探測器輸出端的電壓復(fù)位操作,利用現(xiàn)有結(jié)構(gòu)實現(xiàn)溢出復(fù)位、檢測復(fù)位的操作。
(3)本結(jié)構(gòu)利用的高壓管數(shù)量較少,僅為1個,有助于芯片內(nèi)部利用率的提升和成本的降低。
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