[發明專利]高效低耗的鍍膜設備

在審

• 申請號: 201810420199.1
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN108588659A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 劉月玲;劉潤海;馬馳
• 申請（專利權）人: 京磁材料科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

1.高效低耗的全自動鍍膜系統，包括目標靶、靶源以及濺射腔體，其特征在于，

所述目標靶包括碼放基片的基片架，以及帶動基片架位移的平移設備，所述目標靶與靶源平行；

所述靶源包括靶材、磁體以及用于在靶源和目標靶之間產生電場的電場部件，所述靶材放置在磁體上；

所述濺射腔體為真空密封腔體；

其中，所述目標靶和靶源均設立在濺射腔體內部。

2.如權利要求1所述的高效低耗的全自動鍍膜系統，其特征在于，磁體與電場部件組成電磁場。

3.如權利要求1所述的高效低耗的全自動鍍膜系統，其特征在于，所述目標靶為陽極，所述靶源為陰極。

4.如權利要求1所述的高效低耗的全自動鍍膜系統，其特征在于，所述靶源還包括濺射設備，所述濺射設備與靶源連接，所述濺射設備的功率在5kW至30kW之間。

5.如權利要求1所述的高效低耗的全自動鍍膜系統，其特征在于，所述濺射腔體的真空度在10^-5～10^-2Pa之間。

6.如權利要求1所述的高效低耗的全自動鍍膜系統，其特征在于，所述濺射腔體還包括惰性氣體，所述惰性氣體為氬氣，所述氬氣的壓強在0.1～10Pa之間。

7.如權利要求1所述的高效低耗的全自動鍍膜系統，其特征在于，還設有冷凝設備，所述冷凝設備與基片架連接。

8.如權利要求1所述的高效低耗的全自動鍍膜系統，其特征在于，還包括氣體供應循環裝置，所述氣體供應循環裝置與濺射腔體連接。

9.一種利用權力要求1-8任一項所述高效低耗的全自動鍍膜系統的鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步、將基片整齊碼放基片架，并將基片架與平移機構連接；

第二步、使用真空機將腔體抽取到真空度為10^-5～10^-2Pa之間的真空狀態；

第三步、使用氣體循環供應設備為濺射腔體內提供氬氣，使氬氣壓強在0.1～10Pa之間；

第四步、啟動濺射設備并調功率在5kW至30kW之間，濺射設備將靶材轉化為原子或原子團，同時啟動冷凝設備；

第五步、平移機構帶動目標靶在靶源濺射的有效范圍內移動，使原子或原子團形態的靶材在電磁場的作用下移動至基片上形成保護膜。