[發(fā)明專利]相移光掩模的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810410555.1
• 申請(qǐng)日: 2018-05-02
• 公開（公告）號(hào): CN109765750A
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田俊介;江政學(xué);陳志明;林政旻;黃彥瑋;張浩銘;林國(guó)欽;李冠賢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/26
• 分類號(hào): G03F1/26;G03F1/76
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種制造光掩模的方法，其特征在于，包括：

在掩模坯之上形成光刻膠層，所述掩模坯包括掩模襯底、設(shè)置在所述掩模襯底上的相移層及設(shè)置在所述相移層上的光阻擋層；

利用光刻操作形成光刻膠圖案；

利用所述光刻膠圖案作為刻蝕掩模將所述光阻擋層圖案化；

利用經(jīng)圖案化的所述光阻擋層作為刻蝕掩模將所述相移層圖案化；

以刻蝕硬覆蓋體覆蓋所述掩模襯底的邊界區(qū)，其中一部分的光阻擋層存留在所述邊界區(qū)上，同時(shí)通過所述刻蝕硬覆蓋體的開口暴露出所述掩模襯底的圖案區(qū)；

通過所述刻蝕硬覆蓋體的所述開口刻蝕所述圖案區(qū)中的經(jīng)圖案化的所述光阻擋層；

剝離所述刻蝕硬覆蓋體；以及

對(duì)所述圖案區(qū)執(zhí)行光刻蝕操作以移除所述光阻擋層的殘留物。