[發(fā)明專利]人工晶體制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810410287.3
• 申請(qǐng)日: 2018-05-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108941932A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹立;康小林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞東陽(yáng)光科研發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): B23K26/38
• 分類號(hào): B23K26/38;B23K26/402;B23K26/60;B23K26/70
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種人工晶體的制備方法，其特征在于，它包括以下步驟：

S1：提供人工晶體粗胚，所述人工晶體粗胚包括光學(xué)區(qū)和外圍區(qū)，所述光學(xué)區(qū)具有上光學(xué)面和下光學(xué)面，所述外圍區(qū)環(huán)繞所述光學(xué)區(qū)；

S2：在所述人工晶體粗胚表面覆蓋保護(hù)膜，使其與所述人工晶體粗胚的形狀相吻合；

S3：使用激光對(duì)所述覆蓋有保護(hù)膜的人工晶體粗胚進(jìn)行切割處理；

S4：移除所述保護(hù)膜后形成所述人工晶體，所述人工晶體包括光學(xué)區(qū)和和支撐件，所述光學(xué)區(qū)包含所述上光學(xué)面和所述下光學(xué)面，所述支撐件與所述光學(xué)區(qū)相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)膜為熱變形溫度大于200℃的高分子膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)膜的熱變形溫度在200～400℃之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)膜為聚酰亞胺(PI)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳醚酮(PAEK)、液晶聚合物(LCP)、聚砜(PSF)、聚苯酯(POB)、聚四氟乙烯(PTFE)、環(huán)氧塑料(EF)、有機(jī)硅塑料(SI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯醇(PVA)、環(huán)烯烴共聚物(COC)、尼龍6(PA6)、尼龍66(PA66)及其改性材料的至少之一。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述聚酰亞胺(PI)是選自聚酰胺-酰亞胺(PAI)、聚醚酰亞胺(PEI)、均苯型聚酰亞胺、可溶性聚酰亞胺及其改性材料的至少之一。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述聚芳醚酮(PAEK)是選自聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚醚醚酮(PEEEK)、聚醚酮醚酮酮(PEKEKK)、酚酞型聚醚酮及其改性材料的至少之一。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述液晶聚合物(LCP)是選自聚苯并咪唑(PBI)、聚苯并雙咪唑(PBBI)、聚苯并噁唑(PBO)、聚苯并雙噁唑(PBBO)、聚噻唑(PT)、聚苯并噻唑(PBT)、聚苯并雙噻唑(PBBT)及其改性材料的至少之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述聚砜(PSF)是選自聚芳砜(PASF)、聚醚砜(PES)及其改性材料的至少之一。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)膜的厚度為10～100μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)膜的厚度為25～75μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，移除所述保護(hù)膜是在醇類溶劑中超聲和/或使用鑷子進(jìn)行移除。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述激光包括納秒激光、皮秒激光以及飛秒激光的至少之一。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述激光波長(zhǎng)為248～1560nm。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述激光切割的掃描速度為100～1000mm/s。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述激光的功率為3-100w。