[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810403205.2
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN109411532A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 申洪湜;金泰坤;雄一朗·佐佐木
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L29/78
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：襯底，包括定義有源區(qū)的場區(qū)；源區(qū)/漏區(qū)，位于有源區(qū)中；溝道區(qū)，位于源區(qū)/漏區(qū)之間；輕摻雜漏(LDD)區(qū)，位于源區(qū)/漏區(qū)中的一個與溝道區(qū)之間；以及柵極結(jié)構(gòu)，位于溝道區(qū)上。有源區(qū)的上部部分可包括外延生長層，所述外延生長層的晶格常數(shù)大于硅(Si)的晶格常數(shù)，且源區(qū)/漏區(qū)以及LDD區(qū)可摻雜有鎵(Ga)。

相關(guān)申請的交叉參考

本申請主張2017年8月17日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國專利申請第10-2017-0104160號的優(yōu)先權(quán)，所述韓國專利申請的公開內(nèi)容全文并入本案供參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體裝置，且特別是涉及在溝道區(qū)中具有提高的遷移率特性的載流子的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

隨著電子行業(yè)已快速發(fā)展且隨著用戶需求增加，電子裝置變得更小且更輕。具有高集成度的半導(dǎo)體裝置是電子裝置中所需的，因此半導(dǎo)體裝置的元件的設(shè)計規(guī)則也隨之減小。此外，對于高速半導(dǎo)體裝置的需求逐漸增大。已部分地進(jìn)行了各種研究以滿足半導(dǎo)體裝置的高集成度和高速的要求。

發(fā)明內(nèi)容

本公開提供半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置可在其溝道區(qū)中具有提高的遷移率特性的載流子。

根據(jù)本公開的一方面，提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置可包含：襯底，包括定義有源區(qū)的場區(qū)；源區(qū)/漏區(qū)，位于有源區(qū)中；溝道區(qū)，位于源區(qū)/漏區(qū)之間；輕摻雜漏(LDD)區(qū)，位于源區(qū)/漏區(qū)中的一個與溝道區(qū)之間；以及柵極結(jié)構(gòu)，位于溝道區(qū)上。所述有源區(qū)的上部部分可包含外延生長層，外延生長層的晶格常數(shù)大于硅(Si)的晶格常數(shù)，且源區(qū)/漏區(qū)以及輕摻雜漏區(qū)可摻雜有鎵(Ga)。

根據(jù)本公開的另一方面，提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置可包含：襯底，具有第一晶體管區(qū)以及第二晶體管區(qū)且由第一材料形成；第一有源區(qū)，形成于第一晶體管區(qū)中；以及第二有源區(qū)，形成于第二晶體管區(qū)中且包含源區(qū)/漏區(qū)以及溝道區(qū)。第一有源區(qū)的上部區(qū)可包含第一外延生長層，第一外延生長層包含第一材料，且第二有源區(qū)的上部部分可包含第二外延生長層，所述第二外延生長層包含超過50原子百分比(at％)的第二材料。第二材料可以不同于第一材料，源區(qū)/漏區(qū)可摻雜有鎵(Ga)，且第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的每一個的頂部表面可以是平坦的。

根據(jù)本公開的另一方面，提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置可包含：有源區(qū)，具有溝道區(qū)和摻雜有鎵(Ga)的源區(qū)/漏區(qū)；溝道硅鍺(c-SiGe)層，構(gòu)成所述有源區(qū)的上部部分且包含超過50原子百分比(at％)的Ge；以及柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述溝道硅鍺(c-SiGe)層上且包含高介電常數(shù)柵極絕緣層以及金屬柵極電極。

附圖說明

結(jié)合附圖及以下詳細(xì)描述，將更加清楚地理解本公開的各個方面，在附圖中：

圖1到圖11是用于描述根據(jù)本公開的方面的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。

圖12是繪示根據(jù)本公開的方面的薄層電阻相對于用于半導(dǎo)體裝置中的雜質(zhì)的劑量的曲線圖。

圖13是根據(jù)本公開的方面的包含半導(dǎo)體裝置的系統(tǒng)的配置的視圖。

附圖標(biāo)號說明：

10：半導(dǎo)體裝置

101：襯底

111：第一半導(dǎo)體層

111'：n型LDD區(qū)

111：n型源區(qū)/漏區(qū)

111T：頂部表面

120：p型溝道區(qū)

121：第二半導(dǎo)體層

121'：p型輕摻雜漏(LDD)區(qū)