[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201810403205.2
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN109411532A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 申洪湜;金泰坤;雄一朗·佐佐木
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L29/78
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

襯底，包括定義有源區的場區；

源區/漏區，位于所述有源區中；

溝道區，位于所述源區/漏區之間；

輕摻雜漏區，位于所述源區/漏區中的一個與所述溝道區之間；以及

柵極結構，位于所述溝道區上，

其中所述有源區的上部部分包括外延生長層，所述外延生長層的晶格常數大于硅的晶格常數，以及

其中所述源區/漏區及所述輕摻雜漏區摻雜有鎵。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述外延生長層包括硅鍺層，所述硅鍺層包含超過50原子百分比的鍺。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述源區/漏區中的鎵的劑量為5E13原子/平方厘米至5E15原子/平方厘米。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述輕摻雜漏區中的鎵的劑量為1E13至2E15原子/平方厘米。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述外延生長層的頂部表面是大體上平坦的。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述外延生長層在所述源區/漏區的厚度、所述外延生長層在所述輕摻雜漏區的厚度以及所述外延生長層在所述溝道區的厚度大體上相同。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述柵極結構為平面結構。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述柵極結構包括高介電常數介電柵極絕緣層以及金屬柵極電極。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述場區為淺溝槽隔離區。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述淺溝槽隔離區的頂部表面以及所述外延生長層的頂部表面大體上共面。

11.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

襯底，包括第一晶體管區及第二晶體管區且包括第一材料；

第一有源區，位于所述第一晶體管區中；以及

第二有源區，位于所述第二晶體管區中且包括源區/漏區及溝道區，

其中：

所述第一有源區的上部區包括第一外延生長層，所述第一外延生長層包括所述第一材料，

所述第二有源區的上部部分包括第二外延生長層，所述第二外延生長層包括超過50原子百分比的第二材料，

所述第二材料不同于所述第一材料，

所述源區/漏區摻雜有鎵，以及

所述第一有源區和所述第二有源區中的每一個的頂部表面是平坦的。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述第二外延生長層的晶格常數大于所述襯底的晶格常數。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述第二外延生長層因晶格常數不匹配而產生應變。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述第二外延生長層包括張力應變的硅鍺。

15.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，還包括輕摻雜漏區，所述輕摻雜漏區位于所述源區/漏區中的一個與所述溝道區之間并且摻雜有鎵，

其中所述輕摻雜漏區的鎵的第一劑量低于所述源區/漏區的鎵的第二劑量。