[發明專利]一種可調控電場分布及透射強度的光學器件及其調控方法在審
| 申請號： | 201810402547.2 | 申請日： | 2018-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN108519686A | 公開（公告）日： | 2018-09-11 |
| 發明（設計）人： | 趙文靜 | 申請（專利權）人： | 西安柯萊特信息科技有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/00 | 分類號： | G02F1/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710000 陜西省西安市高新區高*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 矩形塊 電場分布 光學器件 透射 單層結構 周期單元 可調控 拼接 調控 單層平面結構 材料性質 互相連接 互相平行 目標實現 平面拼接 脫氫反應 貴金屬 基底層 短邊 吸氫 制備 金屬 | ||
1.一種可調控電場分布及透射強度的光學器件包括一互相連接的基底層和單層結構，所述單層結構由多個結構相同的周期單元平面拼接而成；其特征在于：
每個周期單元由第一矩形塊、第二矩形塊和第三矩形塊拼接而成；
所述的第一矩形塊、第二矩形塊和第三矩形塊的短邊互相平行，且沿x方向依次拼接；
所述的第一矩形塊和第三矩形塊由貴金屬制成，第二矩形塊由金屬Mg制成。
2.根據權利要求1所述的光學器件，其特征在于：所述第二矩形塊的短邊寬度小于所述第一矩形塊和第三矩形塊的短邊寬度。
3.根據權利要求2所述的光學器件，其特征在于：所述第一矩形塊與第二矩形塊的長度不相等。
4.根據權利要求3所述的光學器件，其特征在于：所述第一矩形塊的寬度與第三矩形塊的寬度不等，并且所述第二矩形塊為梯形；所述基底層為玻璃基底。
5.由權利要求1-4所述的任一光學器件的調控方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟1，在室溫下，將所述光學器件鋪于玻璃基底層上，置于充滿氫氣的密閉裝置中，加入催化劑鈀，靜置30min以上，所述第二矩形塊的金屬Mg材料與氫氣發生吸氫反應生成MgH2，即第二矩形塊通過化學反應發生材料性質轉化，從金屬轉化為介質，所述光學器件的透射特性發生改變，且共振波段的透射光譜強度也發生改變；
步驟2，在室溫下，將氫化后的光學器件置于氧氣環境中，MgH2發生脫氫反應，所述第二矩形塊的MgH2材料經過還原反應轉化為金屬Mg，所述光學器件的透射特性還原至初始，電場分布和局域電場透射強度還原至初始；
通過上述步驟1和步驟2的轉換，即可實現對所述光學器件透射特性的調節，實現對所述光學器件的電場分布以及共振波段調控。
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