[發明專利]一種具有T字型中心對稱結構的二維左手材料在審
| 申請號: | 201810402408.X | 申請日: | 2018-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN108767483A | 公開(公告)日: | 2018-11-06 |
| 發明(設計)人: | 何政蕊;金杰;陳景明;王偉鋒 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | H01Q15/00 | 分類號: | H01Q15/00 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 劉子文 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 介質基板 二維左手材料 中心對稱結構 單元結構 方向設置 鍍銅 理想導體邊界條件 邊界條件 垂直相交 介電常數 三維立體 損耗正切 中心對稱 電磁波 波阻抗 邊長 入射 左手 延伸 | ||
本發明公開了一種具有T字型中心對稱結構的二維左手材料,包括由介質基板構成的單元結構,介質基板的介電常數為3.48±0.05,損耗正切值為0.0037,所述介質基板為正方形,邊長為2.0~2.2mm,厚度為0.43mm;介質基板的一側鍍有中心對稱的T字型結構的鍍銅,所述T字型結構均由兩個矩形鍍銅結構垂直相交形成,所述單元結構沿三維立體方向分別擴張延伸相互連接形成有T字型結構陣列,所述T字型結構陣列沿X軸方向設置為理想磁邊界條件PHC,Z軸的方向設置為理想導體邊界條件PEC,電磁波沿Y軸方向入射,設置激勵方式為波阻抗激勵,在Y和Z軸兩個方向上具有左手特性。
技術領域
本發明涉及超材料領域,具體涉及一種具有T字型中心對稱結構的二維左手材料。
背景技術
Veselago在1968年提出了左手材料的概念,并指出其介電常數和磁導率在一定電磁波頻段內同時為負,且具有諸如負折射現象、完美透鏡效應、逆Doppler效應等很多奇異的電磁特性。正是由于這些特殊的電磁特性,才使得左手材料在光學成像、天線系統、微波器件以及電磁隱身等領域具有廣泛且重要的應用。然而這一理論直到三十年后才由Smith通過金屬導線和開口諧振環結合體的形式首次實現。自此以后,左手材料的研究走上了飛速發展得快車道。
近年來,左手材料的研究方向主要有:一方面是多維數、多頻帶左手材料的新型結構的設計與實現,如雙Z形金屬條結構,十字環型結構同向開口雙環結構;另一方面是左手材料在微波、天線領域內的應用。但現存的多維數左手材料往往存在結構復雜、帶寬窄、損耗大和電路板雙側印刷等問題,所以性能優良、結構簡單、易于加工的新型多維左手材料結構成為一個重要的研究方向。
發明內容
本發明的目的是為了克服現有技術中的不足,提供一種具有優良性能的具有T字型中心對稱結構的二維左手材料。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的:
一種具有T字型中心對稱結構的二維左手材料,包括由介質基板構成的單元結構,介質基板的介電常數為3.48±0.05,損耗正切值為0.0037,所述介質基板為正方形,邊長為2.0~2.2mm,厚度為0.43mm;介質基板的一側鍍有中心對稱的T字型結構的鍍銅,所述T字型結構均由兩個矩形鍍銅結構垂直相交形成,所述單元結構沿三維立體方向分別擴張延伸相互連接形成有T字型結構陣列,所述T字型結構陣列沿X軸方向設置為理想磁邊界條件PHC,Z軸的方向設置為理想導體邊界條件PEC,電磁波沿Y軸方向入射,設置激勵方式為波阻抗激勵,在Y和Z軸兩個方向上具有左手特性。
進一步的,單元陣列結構之間通過介電常數近似于空氣的材料相互連接。
進一步的,所述鍍銅的寬度為0.10mm,厚度為0.045mm。
進一步的,所述介質基板為Rogers RO4350板。
進一步的,介質基板的一側鍍有四個中心對稱的T字型結構的鍍銅。
與現有技術相比,本發明的技術方案所帶來的有益效果是:
通過仿真分析得到本發明左手材料在21.14GHz~39.26GHz頻段內等效介電常數、等效磁導率、折射率同時為負,絕對帶寬為18.12GHz,相對帶寬為60.00%,單元損耗低至0.04dB,單元電尺寸為0.07,體現了具有該T字型中心對稱結構的二維左手材料的優良性能。
附圖說明
圖1為本發明左手材料單元結構及尺寸結構示意圖。
圖2為左手材料用于仿真的單元結構圖。
圖3(a)和圖3(b)分別為S參數的幅度仿真結果和相位仿真結果。
圖4(a)、(b)、(c)分別為等效介電常數、磁導率、折射率的電磁參數仿真圖。
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