[發(fā)明專利]一種適用于零電壓開(kāi)通MOSFET的低損耗驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810399531.0
• 申請(qǐng)日: 2018-04-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108631560B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙鑫;楊帆;郭鑫;張斌;李力生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京機(jī)械設(shè)備研究所
• 主分類號(hào): H02M1/08
• 分類號(hào): H02M1/08;H03K17/691
• 代理公司: 北京天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11386
• 代理人: 胡時(shí)冶;龐許倩

1.一種適用于零電壓開(kāi)通MOSFET的低損耗驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路由驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端、變壓器勵(lì)磁電路、驅(qū)動(dòng)變壓器、充放電控制電路組成，

驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端連接變壓器勵(lì)磁電路，所述變壓器勵(lì)磁電路的輸出端連接驅(qū)動(dòng)變壓器的原邊繞組，所述驅(qū)動(dòng)變壓器的副邊繞組連接充放電控制電路；所述充放電控制電路的輸出端口一和輸出端口二分別用于與所述零電壓開(kāi)通MOSFET的柵極和源極連接；

所述變壓器勵(lì)磁電路包括：電阻R₁、電阻R₂、二極管D₁、二極管D₂、二極管D₃、PMOS管Q₁、NMOS管Q₂、電源正極Vcc和電源負(fù)極GND；

電阻R₁的一端與二極管D₁的陽(yáng)極連接后與驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端相連接；電阻R₁的另一端與二極管D₁的陰極連接后接到PMOS管Q₁的柵極；

電阻R₂的一端與二極管D₂的陰極連接后與驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端相連接；電阻R₂的另一端與二極管D₂的陽(yáng)極連接后接到NMOS管Q₂的柵極；

PMOS管Q₁的源極與電源正極Vcc相連后接至驅(qū)動(dòng)變壓器原邊繞組T_p的同名端；PMOS管Q₁的漏極與二極管D₃的陽(yáng)極連接；

NMOS管Q₂的漏極與二極管D₃的陰極相連后接至驅(qū)動(dòng)變壓器原邊繞組T_p的異名端；NMOS管Q₂的源極與電源負(fù)極GND連接；

所述充放電控制電路包括：電阻R₃、電阻R₄、電阻R₅、電阻R₆、二極管D₄、二極管D₅和NMOS管Q₃；

驅(qū)動(dòng)變壓器副邊繞組T_s的同名端與二極管D₅的陽(yáng)極以及電阻R₆的一端連接；

驅(qū)動(dòng)變壓器副邊繞組T_s的異名端分別與電阻R₃的一端、電阻R₄的一端相連接；電阻R₃的另一端與NMOS管Q₃的柵極連接；NMOS管Q₃的漏極與二極管D₅的陰極連接；

NMOS管Q₃的源極與二極管D₄的陽(yáng)極以及電阻R₅的一端連接，其公共接點(diǎn)連接至R₆的另一端；電阻R₄的另一端與二極管D₄的陰極以及電阻R₅的另一端連接；

所述充放電控制電路，驅(qū)動(dòng)變壓器副邊繞組T_s的同名端與二極管D₅的陽(yáng)極以及電阻R₆的連接的公共接點(diǎn)為端口一，R₆的另一端為端口二。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于零電壓開(kāi)通MOSFET的低損耗驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端接入輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)PWM。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于零電壓開(kāi)通MOSFET的低損耗驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，電源正極Vcc電壓為12V或15V，電源負(fù)極GND電壓為0V。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于零電壓開(kāi)通MOSFET的低損耗驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，

輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)PWM為高電平時(shí)，變壓器勵(lì)磁電路控制驅(qū)動(dòng)變壓器正向磁化，向充放電控制電路傳遞驅(qū)動(dòng)能量，充放電控制電路控制零電壓開(kāi)通MOSFET導(dǎo)通；

輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)PWM為低電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)變壓器退磁，充放電控制電路控制零電壓開(kāi)通MOSFET快速截止；

驅(qū)動(dòng)變壓器退磁完成后，輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)PWM為低電平，充放電控制電路控制零電壓開(kāi)通MOSFET保持截止?fàn)顟B(tài)。