[發明專利]引線框架的制造方法和制造裝置有效
| 申請號: | 201810390664.1 | 申請日: | 2018-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN108962760B | 公開(公告)日: | 2023-09-19 |
| 發明(設計)人: | 柴田宗也;西竜太郎;武田勇治 | 申請(專利權)人: | 株式會社三井高科技 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 引線 框架 制造 方法 裝置 | ||
1.一種引線框架的制造方法,其特征在于,包括:
輸送工序,將形成有預定圖案的帶狀的所述引線框架以預定節距在長邊方向輸送;
定位工序,采用第一圖像傳感器,對以所述預定節距輸送的所述引線框架進行定位;
鍍層工序,在所述引線框架的與所述預定節距對應的每個區域形成鍍膜;
檢測工序,利用第二圖像傳感器檢測所述引線框架上形成的所述圖案與在所述鍍層工序中形成的所述鍍膜之間的相對的第一位置偏移量;以及
修正工序,根據檢測出的所述第一位置偏移量,以減小以后的鍍層處理中的第二位置偏移量的方式,對所述預定節距進行修正。
2.根據權利要求1所述的引線框架的制造方法,其特征在于,在所述檢測工序中,由第二圖像傳感器同時拍攝在一次的所述鍍層工序中形成的第一鍍膜的最末尾的部分,以及所述第一鍍膜后續形成的第二鍍膜的最前面的部分。
3.根據權利要求1或2所述的引線框架的制造方法,其特征在于,在所述修正工序中,以在一次的所述鍍層工序中形成有所述鍍膜的整個區域防止或抑制所述圖案與所述鍍膜的位置偏移的方式進行修正。
4.一種引線框架的制造裝置,其特征在于,包括:
輸送部,將形成有預定圖案的帶狀的所述引線框架以預定節距在長邊方向輸送;
定位部,采用第一圖像傳感器,對以所述預定節距輸送的所述引線框架進行定位;
鍍層部,在所述引線框架的與所述預定節距對應的每個區域形成鍍膜;
檢測部,利用第二圖像傳感器檢測所述引線框架上形成的所述圖案與在所述鍍層部中形成的所述鍍膜之間的相對的第一位置偏移量;以及
修正部,根據檢測出的所述第一位置偏移量,以減小以后的鍍層處理中的第二位置偏移量的方式,對所述預定節距進行修正。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





