[發(fā)明專利]一種白光LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810390374.7 | 申請日： | 2018-04-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108767085B | 公開（公告）日： | 2019-10-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉虎;王立;章少華;何沅丹;何海洋;林凱茜 | 申請（專利權(quán)）人： | 南昌大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L33/48 | 分類號(hào)： | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 藍(lán)光LED芯片 封裝基座 封裝結(jié)構(gòu) 透光載體 白光LED 量子點(diǎn) 底座 封裝 暖白光LED 底座四周 聚硅氧烷 視覺效果 保護(hù)層 低色溫 封裝層 多層 多色 混色 圍擋 | ||
本發(fā)明公開了一種白光LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，包括：藍(lán)光LED芯片；用于固定藍(lán)光LED芯片的封裝基座，封裝基座中包括一底座及設(shè)置在底座四周的圍擋，藍(lán)光LED芯片固定在底座上；設(shè)置在封裝基座內(nèi)、藍(lán)光LED芯片上方的透光載體；設(shè)置在透光載體表面的多層色量子點(diǎn)涂層；設(shè)置在保護(hù)層表面的聚硅氧烷封裝層。實(shí)現(xiàn)了多色量子點(diǎn)混色形成低色溫、視覺效果好且穩(wěn)定的暖白光LED。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種白光LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。
背景技術(shù)
LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)固態(tài)光源作為新型的光源，具有體積小、能耗小、壽命長、發(fā)光效率高等優(yōu)點(diǎn)，有利于制造集成顯示器件，并且視覺效果好、環(huán)保節(jié)能。因此，LED固體光源被視為下一代常規(guī)照明光源，隨著固態(tài)照明技術(shù)的突破，高亮度的暖色白光照明具有較大的商業(yè)前景。
目前，白光LED大多是高色溫的冷白光，并且因?yàn)楣逃行再|(zhì)或者技術(shù)困難而存在相應(yīng)的問題。現(xiàn)階段應(yīng)用最廣泛的是通過熒光粉轉(zhuǎn)化白光，雖然其具備較高的發(fā)光效率，但是采用熒光粉制造的白光LED會(huì)由于光譜的缺失導(dǎo)致顯色指數(shù)低，視覺效果不佳。
針對這個(gè)問題，雖然新型的量子點(diǎn)白光LED具有較高的顯色指數(shù)、色飽和度等，但存在穩(wěn)定性差、發(fā)光效率低等問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種白光LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，有效解決現(xiàn)有量子點(diǎn)白光LED發(fā)光效率不高、穩(wěn)定性差的技術(shù)問題。
本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：
一種白光LED封裝結(jié)構(gòu)，包括：
藍(lán)光LED芯片；
用于固定所述藍(lán)光LED芯片的封裝基座，所述封裝基座中包括一底座及設(shè)置在所述底座四周的圍擋，所述藍(lán)光LED芯片固定在所述底座上；
設(shè)置在所述封裝基座內(nèi)、所述藍(lán)光LED芯片上方的透光載體；
設(shè)置在所述透光載體表面的多層色量子點(diǎn)涂層；
設(shè)置在多層色量子點(diǎn)涂層表面的聚硅氧烷封裝層。
進(jìn)一步優(yōu)選地，在所述多層色量子點(diǎn)涂層中包括紅色量子點(diǎn)涂層、黃色量子點(diǎn)涂層以及綠色量子點(diǎn)涂層；且在紅色量子點(diǎn)涂層、黃色量子點(diǎn)涂層以及綠色量子點(diǎn)涂層表面均包括一隔離保護(hù)層。
進(jìn)一步優(yōu)選地，所述紅色量子點(diǎn)涂層、黃色量子點(diǎn)涂層以及綠色量子點(diǎn)涂層由硬脂酸銫、油酸、油胺、溴化鉛/碘化鉛以及十八烯為原材料采用熱注射法合成。
進(jìn)一步優(yōu)選地，所述隔離保護(hù)層為氧化鋁薄膜。
本發(fā)明還提供了一種白光LED封裝方法，包括：
S1將藍(lán)光LED芯片固定在封裝基座上，其中，所述封裝基座中包括一底座及設(shè)置在所述底座四周的圍擋，所述藍(lán)光LED芯片固定在所述底座上；
S2在所述封裝基座內(nèi)、藍(lán)光LED芯片的上方設(shè)置透光載體；
S3在所述透光載體表面旋涂多層色量子點(diǎn)涂層；
S4在所述多層色量子點(diǎn)涂層表面形成聚硅氧烷封裝層。
進(jìn)一步優(yōu)選地，在所述多層色量子點(diǎn)涂層中包括紅色量子點(diǎn)涂層、黃色量子點(diǎn)涂層以及綠色量子點(diǎn)涂層，在步驟S3之前包括制備紅色量子點(diǎn)、黃色量子點(diǎn)以及綠色量子點(diǎn)的步驟，具體包括：
S01采用熱注射法把硬脂酸銫和油酸合成的油酸銫快速注入到油酸、油胺、溴化鉛/碘化鉛、十八烯的混合溶液中合成全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPb(BrxI1-x)3，其中，x＝0.40～0.50時(shí)為紅色量子點(diǎn)、x＝0.55～0.65時(shí)為黃色量子點(diǎn)、x＝0.90～1時(shí)為綠色量子點(diǎn)；
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