[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810380411.6
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN108594550B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳黎暄;林旭林;楊流洋;馬遠洋;陳孝賢
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板(10)以及設(shè)于所述襯底基板(10)上的多條縱橫交錯的金屬走線(20)；所述襯底基板(10)包括多個陣列排布的透光區(qū)(11)；所述金屬走線(20)位于多個透光區(qū)(11)的部分的側(cè)面均設(shè)有金屬氧化層(21)。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬走線(20)的材料為銅；所述金屬氧化層(21)為氧化銅。

3.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供襯底基板(10)；在所述襯底基板(10)上形成第一金屬層(M1)；

所述襯底基板(10)包括多個陣列排布的透光區(qū)(11)；

步驟S2、在所述第一金屬層(M1)中形成多條縱橫交錯的金屬走線(20)，并在位于多個透光區(qū)(11)中金屬走線(20)的側(cè)面形成金屬氧化層(21)。

4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2具體步驟為：先圖案化所述第一金屬層(M1)，形成多條縱橫交錯的金屬走線(20)，再通入氧氣或臭氧，氧化位于多個透光區(qū)(11)中金屬走線(20)的側(cè)面形成金屬氧化層(21)。

5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2具體步驟為：先通入氧氣，氧化位于多個透光區(qū)(11)中第一金屬層(M1)的側(cè)面形成金屬氧化層(21)，再圖案化所述第一金屬層(M1)，形成多條縱橫交錯的金屬走線(20)及位于多個透光區(qū)(11)中金屬走線(20)的側(cè)面的金屬氧化層(21)。

6.如權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2具體步驟為：先通過金屬氧化物靶材在所述第一金屬層(M1)上沉積一層金屬氧化層(21)，再圖案化第一金屬層(M1)及金屬氧化層(21)，形成多條縱橫交錯的金屬走線(20)，以及位于多個透光區(qū)(11)中金屬走線(20)側(cè)面的金屬氧化層(21)。

7.如權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2具體步驟為：先圖案化所述第一金屬層(M1)，形成多條縱橫交錯的金屬走線(20)，通過金屬氧化物靶材在所述金屬走線(20)上沉積一層金屬氧化層(21)，圖案化所述金屬氧化層(21)，形成位于多個透光區(qū)(11)中金屬走線(20)側(cè)面的金屬氧化層(21)。

8.如權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2具體步驟為：先圖案化所述第一金屬層(M1)，形成多條縱橫交錯的金屬走線(20)，再通過氧化劑溶液氧化位于多個透光區(qū)(11)中金屬走線(20)的側(cè)面，形成位于多個透光區(qū)(11)中金屬走線(20)側(cè)面的金屬氧化層(21)。

9.如權(quán)利要求4或5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，氧化溫度低于350°，氧化時間小于或等于3分鐘，氣體流量小于3000SCCM。

10.如權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述金屬走線(20)的材料為銅；所述金屬氧化層(21)為氧化銅。