[發明專利]一種閃存存儲器及其編程驗證系統和編程驗證方法

在審

• 申請號: 201810373564.8
• 申請日: 2018-04-24
• 公開（公告）號: CN110400594A
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發明（設計）人: 杜智超;王頎;劉飛;霍宗亮;葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C29/42;G11C29/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種閃存存儲器的編程驗證方法，所述閃存存儲器包括非易失性半導體存儲單元陣列，所述非易失性半導體存儲單元陣列包括多個頁，且每一頁包括多個存儲單元，其特征在于，所述編程驗證方法包括：

通過以下操作對所述多個頁中選取的編程頁執行第N次編程循環：將當前編程電壓施加至所述編程頁的相應字線進行編程；

在所述當前編程電壓施加結束后，對第N-1次編程循環時存儲的編程驗證結果進行計數，以對所述編程頁的存儲單元的編程不成功個數進行統計；

判斷所述編程頁的存儲單元的編程不成功個數是否在允許范圍內，若是，則判定編程成功；若否，則判斷所述第N次編程循環是否達到編程循環次數上限，若是，則判定編程失敗；若否，則對所述編程頁的相應字線施加驗證電壓進行編程驗證感應操作，并在所述編程驗證感應操作結束后在頁緩存電路中存儲每一存儲單元在所述第N次循環編程后的編程驗證結果；

將所述當前編程電壓升高一定數值后，按照上述編程循環過程對所述編程頁執行第N+1次編程循環，N為不小于2的整數。

2.根據權利要求1所述的閃存存儲器的編程驗證方法，其特征在于，所述編程驗證結果以所述存儲單元的在施加的所述驗證電壓下的導通電流值大于導通的存儲單元的電流的最小值為編程不成功的條件。

3.根據權利要求1所述的閃存存儲器的編程驗證方法，其特征在于，所述判斷所述編程頁的存儲單元的編程不成功個數是否在允許范圍內，為：

判斷所述編程頁的存儲單元的編程不成功個數是否在ECC機制所允許范圍內。

4.根據權利要求1所述的閃存存儲器的編程驗證方法，其特征在于，所述將所述當前編程電壓升高一定數值時，每次編程循環時對所述當前編程電壓升高的數值可以不相同。

5.一種閃存存儲器的編程驗證系統，所述閃存存儲器包括非易失性半導體存儲單元陣列和頁緩存電路，所述非易失性半導體存儲單元陣列包括多個頁，且每一頁包括多個存儲單元，其特征在于，所述編程驗證系統包括：編程及編程驗證控制單元、行譯碼單元、編程電壓產生單元、驗證電壓產生單元、驗證檢查和計數單元和判斷處理單元，其中，

通過以下操作對所述多個頁中選取的編程頁執行第N次編程循環：所述編程及編程驗證控制單元控制所述編程電壓產生單元生成的當前編程電壓通過行譯碼單元施加至所述編程頁的相應字線進行編程；

在所述當前編程電壓施加結束后，所述驗證檢查和計數單元對第N-1次編程循環時存儲的編程驗證結果進行計數，以對所述編程頁的存儲單元的編程不成功個數進行統計；

所述判斷處理單元判斷所述編程頁的存儲單元的編程不成功個數是否在允許范圍內，若是，則判定編程成功；若否，則判斷所述第N次編程循環是否達到編程循環次數上限，若是，則判定編程失敗；若否，則所述編程及編程驗證控制單元控制所述驗證電壓產生單元生成的驗證電壓施加至所述編程頁的相應字線進行編程驗證感應操作，并在所述編程驗證感應操作結束后在所述頁緩存電路中存儲每一存儲單元在所述第N次循環編程后的編程驗證結果；

存儲所述編程驗證結果后，所述編程電壓產生單元將所述當前編程電壓升高一定數值，而后按照上述編程循環過程對所述編程頁執行第N+1次編程循環，N為不小于2的整數。

6.根據權利要求5所述的閃存存儲器的編程驗證系統，其特征在于，所述編程驗證結果以所述存儲單元的在施加的所述驗證電壓下的導通電流值大于導通的存儲單元的電流的最小值為編程不成功的條件。

7.根據權利要求5所述的閃存存儲器的編程驗證系統，其特征在于，所述判斷處理單元判斷所述編程頁的存儲單元的編程不成功個數是否在允許范圍內為：

所述判斷處理單元判斷所述編程頁的存儲單元的編程不成功個數是否在ECC機制所允許范圍內。

8.根據權利要求5所述的閃存存儲器的編程驗證系統，其特征在于，所述編程電壓產生單元將所述當前編程電壓升高一定數值時，每次編程循環時對所述當前編程電壓升高的數值可以不相同。