[發(fā)明專利]一種白光發(fā)光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810371709.0
• 申請(qǐng)日: 2018-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN108767071B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏曉駿;郭炳磊;李鵬;胡加輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/30;H01L33/50
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種白光發(fā)光二極管外延片，所述白光發(fā)光二極管外延片包括襯底，以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜的GaN層、N型層、有源層和P型層，其特征在于，

所述有源層包括交替生長的In_xGa_1-xN阱層和GaN壘層，0.1≤x≤0.18，所述白光發(fā)光二極管外延片還包括設(shè)置在所述有源層和所述P型層之間的第一MoS₂層和第二MoS₂層，所述第一MoS₂層為本征MoS₂層，所述第二MoS₂層為摻O的MoS₂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第一MoS₂層的厚度為0.65～1.95nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的白光發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第二MoS₂層的厚度為0.65～1.95nm。

4.一種白光發(fā)光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長緩沖層、未摻雜的GaN層、N型層和有源層，其中，所述有源層包括交替生長的In_xGa_1-xN阱層和GaN壘層，0.1≤x≤0.18；

在所述有源層上形成第一MoS₂層，所述第一MoS₂層為本征MoS₂層；

在所述第一MoS₂層上生長第二MoS₂層，所述第二MoS₂層為摻O的MoS₂層；

在所述第二MoS₂層上生長P型層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述有源層上形成第一MoS₂層，包括：

采用機(jī)械剝離的方法從MoS₂片上剝離出MoS₂層；

將所述MoS₂層轉(zhuǎn)移到所述有源層上形成所述第一MoS₂層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述采用機(jī)械剝離的方法從MoS₂片上剝離出MoS₂層，將所述MoS₂層轉(zhuǎn)移到所述有源層上形成所述第一MoS₂層，包括：

將所述MoS₂層剝離到聚二甲基硅氧烷基板上；

將所述聚二甲基硅氧烷基板上的所述MoS₂層轉(zhuǎn)移到所述有源層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一MoS₂層上生長第二MoS₂層，包括：

以MoO₃和硫粉為原料，采用化學(xué)氣相沉積法在所述第一MoS₂層上生長第二MoS₂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述采用化學(xué)氣相沉積法在所述第一MoS₂層上生長第二MoS₂層，包括：

在生長溫度為500-700℃，生長壓力為5-100mTorr的化學(xué)氣相沉積腔室中，采用Ar為載氣，在所述第一MoS₂層上生長第二MoS₂層。

9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第一MoS₂層的厚度為0.65～1.95nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述第二MoS₂層的厚度為0.65～1.95nm。