[發(fā)明專利]一種激光器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810370254.0 | 申請日： | 2018-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN108649426A | 公開（公告）日： | 2018-10-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 魏思航;洪志蒼;王忠政;方瑞禹 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/12 | 分類號： | H01S5/12;H01S5/20;H01S5/34 |
| 代理公司： | 深圳市隆天聯(lián)鼎知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232 | 代理人： | 劉抗美 |
| 地址： | 266555 山東省青*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 波導區(qū) 量子阱層 無源濾波 無源耦合 源波導 光柵材料層 光柵 二階光柵 下波導層 激光器 一階 光纖通信技術(shù) 整體穩(wěn)定性 下限制層 依次設置 裝配工藝 有效地 襯底 封裝 輸出 激發(fā) 制作 | ||
1.一種激光器，其特征在于，包括：底層部分，所述底層部分包括：由下至上依次設置的N型電極、襯底、下限制層、下波導層，所述底層部分上方設有相互分離的第一有源波導區(qū)、第二無源濾波波導區(qū)和第三無源耦合波導區(qū)，所述第一有源波導區(qū)中設有量子阱層，所述量子阱層的上方設有一階光柵，所述第一有源波導區(qū)的頂部設有第一P型電極；所述第二無源濾波波導區(qū)中設有光柵材料層，所述第二無源濾波波導區(qū)的頂部設有第二P型電極，所述第三無源耦合波導區(qū)中設有二階光柵，所述量子阱層受激發(fā)所產(chǎn)生的光束在依次通過一階光柵、光柵材料層和二階光柵后，從第三無源耦合波導區(qū)的頂部輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一有源波導區(qū)包括：由下而上依次設置的量子阱層、一階光柵、上波導層、上限制層、接觸層和第一P型電極，所述量子阱層設置于所述下波導層的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第二無源濾波波導區(qū)包括：由下而上依次設置的光柵材料層、上波導層、上限制層、接觸層和第二P型電極，所述光柵材料層設置于所述下波導層的上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第三無源耦合波導區(qū)包括：由下而上依次設置的二階光柵、上波導層和上限制層，所述二階光柵設置于所述下波導層的上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的激光器，其特征在于，所述二階光柵的光柵周期為所述一階光柵的光柵周期的兩倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光器，其特征在于，所述二階光柵的折射角度在0°至80°之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一有源波導區(qū)與所述第二無源濾波波導區(qū)之間和所述第二無源濾波波導區(qū)與所述第三無源耦合波導區(qū)之間均設有隔離槽，所述隔離槽的底部與所述底層部分的上端面相接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光器，其特征在于，所述隔離槽中填充有固體介質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光器，其特征在于，所述隔離槽中不填充有固體介質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的激光器，其特征在于，所述隔離槽的寬度在2um到5um之間。
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