[發明專利]一種TiB2粉體的制備方法在審
| 申請號: | 201810362395.8 | 申請日: | 2018-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN108584972A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 褚衍輝;劉達;周曦亞;敬思儀;葉貝琳 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | C01B35/04 | 分類號: | C01B35/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕強 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粉體 合成 熔鹽 制備 無水乙醇溶解 超高溫陶瓷 反應副產物 粉體粒徑 粉體制備 平均粒徑 有效控制 制備周期 氧化硼 硼粉 去除 過濾 | ||
本發明公開了一種TiB2粉體的制備方法,屬于超高溫陶瓷粉體制備技術領域。該方法是將TiO2粉體和硼粉與一定量的熔鹽混合均勻后,在900~1100℃的條件下反應生成TiB2粉體,且反應副產物B2O3(氧化硼)以及熔鹽通過熱水和無水乙醇溶解并過濾去除。本發明方法合成溫度低(900~1100℃)、工藝簡單、制備周期短,合成的TiB2粉體粒徑小(平均粒徑為50~150 nm)、純度高,此外,通過調整合成溫度以及熔鹽的量可以有效控制合成TiB2粉體的尺寸,這些優點使該方法具有發展成大規模工業生產的潛力。
技術領域
本發明屬于超高溫陶瓷粉體制備技術領域,具體涉及一種TiB2粉體的制備方法。
背景技術
超高溫陶瓷材料主要包括一些過渡金屬的硼化物、氮化物和碳化物等,這些材料的熔點均在3000℃以上。其中,硼化鈦(TiB2)陶瓷因具有高熔點、高強度和高硬度,優良的耐磨損性,好的導電性及化學穩定性而受到廣泛關注。高純細小的TiB2粉體合成對于TiB2陶瓷的制備和應用至關重要。但是目前所報道的TiB2粉體的合成方法普遍存在合成溫度高、所得粉體粒徑大且含碳、金屬或單質硼雜質等問題。
文獻1:“Subramanian C, Murthy T S R C, Suri A K. Synthesis andconsolidation of titanium diboride. International Journal of RefractoryMetals & Hard Materials, 2007, 25(4):345~350”介紹了一種TiB2粉體的制備方法,該方法以TiO2粉體、BC4粉體和碳粉為原料,經球磨后在高溫下反應制備出TiB2粉體。該方法不僅合成溫度高(1200~1800℃)、制備周期長,而且合成的TiB2粉體粒徑大(平均粒徑為0.8 μm),同時,合成的TiB2粉體中含有大量未反應的碳以及球磨介質等雜質,這些缺點嚴重限制了該方法的廣泛應用。
發明內容
為了克服現有技術的上述缺點與不足,本發明的目的在于提供一種硼化鈦(TiB2)粉體的制備方法。該方法以TiO2粉、硼粉、KCl和NaCl為原料,在相對較低的溫度下反應制備出顆粒細小的TiB2粉體,該方法合成溫度低(900~1100℃)、制備周期短、合成TiB2粉體的粒徑小(平均粒徑為50~150 nm)、純度高,并且通過調整制備工藝可以對TiB2粉體晶粒尺寸進行控制。
本發明的目的通過如下技術方案實現。
一種TiB2粉體的制備方法,包括如下步驟:
(1)取二氧化鈦TiO2粉、硼粉、氯化鉀KCl、氯化鈉NaCl置于瑪瑙研缽中并手動研磨,然后將該混合粉體轉移至于剛玉方舟中;
(2)將方舟放入管式爐中,升溫后再保溫,隨后關閉電源自然冷卻至室溫,整個過程中通入氬氣(Ar)保護;
(3)將方舟取出并將方舟中的混合物先用去離子水洗滌、過濾后干燥,再用無水乙醇磁力攪拌、過濾后干燥,即得到目標產物TiB2粉體。
進一步的,所述步驟(1)中,TiO2粉和硼粉的摩爾比為3:10,KCl和NaCl的總質量為TiO2和硼粉總質量的5~20倍,其中KCl和NaCl的摩爾比為1:1。
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