[發(fā)明專(zhuān)利]TFT陣列基板及液晶顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810362233.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-04-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108508667B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高玲;虞曉江 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G02F1/1362 | 分類(lèi)號(hào)： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人： | 林才桂;鞠驍 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | tft 陣列 液晶顯示 面板 | ||
1.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括襯底基板(200)及設(shè)于襯底基板(200)上的平坦化層(400)；
所述襯底基板(200)的一端設(shè)有凹槽(260)，所述襯底基板(200)包括功能區(qū)(201)及位于功能區(qū)(201)外側(cè)的外圍區(qū)(202)；所述平坦化層(400)具有與襯底基板(200)的功能區(qū)(201)對(duì)應(yīng)的第一部分(410)；所述第一部分(410)靠近凹槽(260)的區(qū)域設(shè)有至少一個(gè)凹坑(420)；
所述凹坑(420)的深度小于第一部分(410)的厚度；
還包括位于所述襯底基板(200)與所述平坦化層(400)之間的多個(gè)TFT器件及設(shè)于所述平坦化層(400)上的多個(gè)像素電極；所述功能區(qū)(210)對(duì)應(yīng)于顯示面板的顯示區(qū)，所述外圍區(qū)(202)對(duì)應(yīng)于顯示面板的非顯示區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，在所述平坦化層(400)的橫截面上，所述第一部分(410)設(shè)有凹坑(420)的區(qū)域內(nèi)單位面積上凹坑(420)所占的面積在沿第一部分(410)指向凹槽(260)的方向上逐漸增大。
3.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一部分(410)上靠近所述凹槽(260)的區(qū)域內(nèi)單位面積上凹坑(420)的數(shù)量大于所述第一部分(410)上遠(yuǎn)離所述凹槽(260)的區(qū)域內(nèi)單位面積上凹坑(420)的數(shù)量。
4.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一部分(410)上靠近所述凹槽(260)的區(qū)域內(nèi)的凹坑(420)的內(nèi)徑大于所述第一部分(410)上遠(yuǎn)離所述凹槽(260)的區(qū)域內(nèi)的凹坑(420)的內(nèi)徑。
5.如權(quán)利要求3或4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一部分(410)靠近凹槽(260)的區(qū)域設(shè)有N列凹坑(420)，每一列凹坑(420)中的多個(gè)凹坑(420)與凹槽(260)之間的距離相同，其中，N為正整數(shù)；
每一列凹坑(420)中相鄰兩個(gè)凹坑(420)之間的間隔相等。
6.如權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，3≤N≤5。
7.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述凹坑(420)的深度為0.5um～3um。
8.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述襯底基板(200)設(shè)有凹槽(260)的一端包括依次連接的第一側(cè)壁(210)、第二側(cè)壁(220)、第三側(cè)壁(230)、第四側(cè)壁(240)及第五側(cè)壁(250)；所述第一側(cè)壁(210)與第五側(cè)壁(250)位于同一平面，所述第二側(cè)壁(220)、第三側(cè)壁(230)及第四側(cè)壁(240)共同形成所述凹槽(260)。
9.如權(quán)利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一側(cè)壁(210)與所述第二側(cè)壁(220)垂直，所述第二側(cè)壁(220)與所述第三側(cè)壁(230)垂直，所述第三側(cè)壁(230)與所述第四側(cè)壁(240)垂直。
10.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括相對(duì)設(shè)置的TFT陣列基板(10)與彩膜基板(20)、設(shè)于TFT陣列基板(10)與彩膜基板(20)之間的液晶層(30)；
所述TFT陣列基板(10)為如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板；
所述液晶層(30)的部分容納于所述凹坑(420)內(nèi)。
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G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
