[發明專利]一種復合熒光納米纖維膜的制備方法

有效

• 申請號: 201810359252.1
• 申請日: 2018-04-20
• 公開（公告）號: CN108589046B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 郁菁;周航;王明輝;雷風采;楊茂森;魏義勝
• 申請（專利權）人: 山東師范大學
• 主分類號: D04H1/728
• 分類號: D04H1/728;D01D5/00
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 鄭平

本發明涉及一種復合熒光納米纖維膜的制備方法，屬于熒光纖維膜的制備領域。所述方法包括如下步驟：1）前軀體溶液制備：首先將鹵化鉛加入有機溶劑中，待鹵化鉛完全溶解后，繼續加入鹵化銫，待鹵化銫完全溶解后再加入聚苯乙烯或聚乙烯醇，得到紡絲前軀體溶液；2）聚合物電紡法制備納米纖維膜：將步驟1）中的前驅體溶液置于注射泵中，在注射針頭下方放置導電襯底，在導電襯底與注射針頭之間施加電壓，以恒定速度推進注射泵，在襯底上得到納米纖維膜，將納米纖維膜從襯底上分離，即得。發明制備的復合熒光顯微具有發光色域廣FWHMs窄的特點，且在惡劣環境下具有優異的穩定性，將本發明制備的FNM/CPX集成到藍色發光芯片中制造的WLED具有優異的顯色性和耐久性。

技術領域

本發明屬于熒光材料的制備領域，具體涉及一種復合熒光納米纖維膜的制備方法。

背景技術

近幾年來，太陽能電池的快速發展給光伏產業帶來了巨大變革，鈣鈦礦材料成了材料科學領域非常有吸引力的材料新星，并在光電探測器、發光二極管、光催化、激光器件等領域得到了廣泛應用，其中，全無機鹵化物鈣鈦礦基材料(如CsPbX₃，X＝Cl、Br、I)已被證明在發光器件的應用中具有良好的前景。

熒光納米纖維膜(FNMs)與CsPbX₃的聚合物電紡(E-spun)結構在過去幾年中引起了越來越多的關注。E-spun通常被認為是制備大規模納米纖維膜(NMs)的最簡單方法之一，非常適合商業化應用。在2016年，李等人(DOI:10.1021/acs.jpclett.6b02045)首次用E-spun法準備了一種由CsPbBr₃量子點(QDs)包裹的單片聚苯乙烯(PS)纖維膜。隨后，他們將其應用在了熒光共振能量轉移裝置，生物分子傳感器，pH傳感器和金屬離子檢測器，同年，Wang等人(DOI:10.1039/c7cc01152k)也通過相同的方式獲得了雜化的CsPbX₃的PSNMs，并成功地將它們組裝成WLED，不僅具有更好的光學性能，而且具有長期的穩定性。雖然這些材料表現出了優異的性能，但其制備方法過于復雜：首先用化學方法合成CsPbX₃量子點，然后將它們混合成前驅體溶液，最后通過E-Spun形成熒光納米纖維膜，而且制備過程需要在高溫環境下進行，甚至還需要用到高毒性的溶劑，且后續的純化過程也相當耗時，因此，有必要研究一種新的熒光納米纖維膜的制備方法。

發明內容

針對上述現有技術中存在的問題，本發明旨在提供一種復合熒光納米纖維膜的制備方法。通過E-spun法制備基于CsPbX₃的復合熒光納米纖維膜(FNMs/CPX，X＝Cl、Br或I)，與傳統的方法相比，本發明的制備方法更加簡單，與單純的CsPbX₃顆粒相比，本發明制備的FNMs/CPX具有發光色域廣(405nm～673nm)，FWHMs(16nm～35nm)窄等特點，且在惡劣環境下(如潮濕和高溫條件下)具有更加優異的穩定性，將本發明制備的FNM/CPX集成到藍色發光芯片中制造的WLED具有優異的顯色性和耐久性。

本發明的目的之一是提供一種復合熒光納米纖維膜的制備方法。

本發明的目的之二是提供熒光納米纖維膜的制備方法的應用。

為實現上述發明目的，具體的，本發明公開了下述技術方案：

首先，本發明公開了一種復合熒光納米纖維膜的制備方法，所述方法包括如下步驟：

1)前軀體溶液制備：首先將鹵化鉛加入有機溶劑中，待鹵化鉛完全溶解后，繼續加入鹵化銫，待鹵化銫完全溶解后再加入聚苯乙烯或聚乙烯醇，得到紡絲前軀體溶液；

2)聚合物電紡法制備納米纖維膜：將步驟1)中的前驅體溶液置于注射泵中，在注射針頭下方放置導電襯底，在導電襯底與注射針頭之間施加電壓，以恒定速度推進注射泵，在襯底上得到納米纖維膜，將納米纖維膜從襯底上分離，即得。