[發(fā)明專利]一種影像傳感芯片的封裝結構及其封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810359206.1 | 申請日: | 2018-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN108364970A | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王之奇;吳明軒 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱宗力;王寶筠 |
| 地址: | 215021 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像傳感芯片 基板 封裝結構 透光蓋板 遮光結構 開口 第二表面 第一表面 感光區(qū)域 背離 封裝 非感光區(qū)域 光線匯聚 開口側壁 入射光線 像素區(qū)域 異常現(xiàn)象 耀斑 覆蓋 成像 遮擋 照射 輸出 圖像 暴露 概率 申請 | ||
本申請公開了一種影像傳感芯片的封裝結構及其封裝方法,其中,該封裝結構包括:影像傳感芯片,影像傳感芯片包括相對的第一表面和第二表面,第一表面包括感光區(qū)域和非感光區(qū)域;位于影像傳感芯片背離第二表面一側的基板,基板具有開口,開口暴露出感光區(qū)域;位于基板背離影像傳感芯片一側的透光蓋板,透光蓋板覆蓋開口;位于透光蓋板朝向和/或背離基板一側表面具有遮光結構,遮光結構覆蓋開口的周緣。該遮光結構可以起到對入射光線照射到基板朝向開口側壁的遮擋作用,從而實現(xiàn)了降低由于影像傳感芯片的像素區(qū)域出現(xiàn)光線匯聚的異?,F(xiàn)象,而導致的在影像傳感芯片輸出的圖像中形成耀斑現(xiàn)象的概率,提升了影像傳感芯片的成像質量。
技術領域
本申請涉及圖像采集裝置技術領域,更具體地說,涉及一種影像傳感芯片的封裝結構及其封裝方法。
背景技術
影像傳感芯片是一種能夠感受外部光線并將其轉換為電信號的電子器件。影像傳感芯片通常采用半導體制造工藝進行芯片制作。在影像傳感芯片制作完成后,再通過對影像傳感芯片進行一系列封裝工藝從而形成封裝好的封裝結構,以用于諸如數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機等的電子設備中。
現(xiàn)有技術中的影像傳感芯片的封裝結構主要包括扇出(Fanout)基板和透明蓋板等,其中,扇出基板包括一開口,影像傳感芯片的像素區(qū)域朝向該開口設置,以使得光線能夠通過該開口照射在像素區(qū)域上,該開口背離影像傳感芯片一側設置有透明蓋板,該透明蓋板用于實現(xiàn)對像素傳感芯片的保護。
但在具體使用過程中,由于扇出基板的開口側面對光線的反射現(xiàn)象,極易使得影像傳感芯片的像素區(qū)域的局部出現(xiàn)光線匯聚的異常現(xiàn)象,這些光線匯聚的區(qū)域在影像傳感芯片輸出的圖像中就會形成耀斑(Flare)現(xiàn)象,從而降低影像傳感芯片的成像質量。
發(fā)明內容
為解決上述技術問題,本申請?zhí)峁┝艘环N影像傳感芯片的封裝結構及其封裝方法,以實現(xiàn)降低由于基板開口側面對光線的反射現(xiàn)象而使得影像傳感芯片的像素區(qū)域出現(xiàn)光線匯聚的異常現(xiàn)象的可能,從而降低了由于這些光線匯聚的區(qū)域在影像傳感芯片輸出的圖像中形成耀斑現(xiàn)象的概率,提升了影像傳感芯片的成像質量。
為實現(xiàn)上述技術目的,本申請實施例提供了如下技術方案:
一種影像傳感芯片的封裝結構,包括:
影像傳感芯片,所述影像傳感芯片包括相對的第一表面和第二表面,所述第一表面包括感光區(qū)域和非感光區(qū)域;
位于所述影像傳感芯片背離所述第二表面一側的基板,所述基板具有開口,所述開口暴露出所述感光區(qū)域;
位于所述基板背離所述影像傳感芯片一側的透光蓋板,所述透光蓋板覆蓋所述開口;
位于所述透光蓋板朝向和/或背離所述基板一側表面具有遮光結構,所述遮光結構覆蓋所述開口的周緣。
可選的,還包括:設置于所述基板上的鏡頭模組,所述鏡頭模組覆蓋所述開口,與所述基板和影像傳感芯片構成光學腔。
可選的,所述遮光結構位于所述透光蓋板朝向所述基板一側表面。
可選的,所述遮光結構覆蓋所述開口的寬度滿足第一預設公式;
所述第一預設公式為:其中,α為所述鏡頭模組的最大進光角度,d1為所述蓋板的寬度,l為所述遮光結構覆蓋所述開口的寬度。
可選的,所述遮光結構位于所述透光蓋板背離所述基板一側表面。
可選的,所述遮光結構覆蓋所述開口的寬度滿足第二預設公式;
所述第二預設公式為:其中,d1為所述蓋板的寬度,d2為所述透光蓋板的寬度,α為所述鏡頭模組的最大進光角度,n為所述透光蓋板相對真空介質的折射率,l為所述遮光結構覆蓋所述開口的寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





