[發明專利]津特耳相熱電轉換材料

在審

• 申請號: 201810354527.2
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108878633A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 菅野勉;玉置洋正;佐藤弘樹
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L35/14
• 分類號: H01L35/14;H01L35/16;H01L35/18
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;李照明

本發明提供一種在200℃附近性能較高的熱電轉換材料。一種熱電轉換材料，由化學式Mg_3+m?aA_aB_2?c?eC_cE_e表示，元素A表示選自Ca、Sr、Ba、Nb、Zn和Al之中的至少一種，元素B表示選自Sb和Bi之中的至少一種，元素C表示選自Mn、Si和Cr之中的至少一種，元素E表示選自Se和Te之中的至少一種，m的值為?0.1以上且0.4以下，a的值為0以上且0.1以下，c的值為0以上且0.1以下，e的值為0.001以上且0.06以下，所述熱電轉換材料具有La₂O₃型的晶體結構，平均晶粒尺寸為3μm以上且70μm以下。

技術領域

本發明涉及熱電轉換材料。

背景技術

非專利文獻1公開了由化學式Mg_3+δSb_1.5Bi_0.49Te_0.01(δ＝0.1、0.2、0.3)表示的熱電轉換材料及其制造方法。

非專利文獻2公開了由化學式Mg₃Sb_1.5-0.5χBi_0.5-0.5χTe_χ(χ＝0.04、0.05、0.08、0.20)表示的熱電轉換材料及其制造方法。

非專利文獻3公開了由化學式Mg_3.2Sb_1.5Bi_0.5-χTe_χ(χ＝0.002、0.004、0.006、0.008、0.010)和Mg_3.2-χNb_χSb_1.5Bi_0.49Te_0.01(χ＝0、0.01、0.05、0.1、0.15)表示的熱電轉換材料及其制造方法。

在先技術文獻

非專利文獻1：H.Tamaki等人，“具有高熱電性能的Mg_3+δSb₂型層狀Zintl金屬化合物中的各向同性導電網絡和化學缺陷”，先進材料，第28卷，第46期，第10182-10187頁(2016)[DOI:10.1002/adma.201603955].

非專利文獻2：J.Zhang等人，“發現高性能低成本n型Mg₃Sb₂型熱電材料具有多能谷導帶”，自然通訊，第8卷，文章編號13901(2017)[DOI:10.1038/ncomms13901].

非專利文獻3：S.Jing等人，“通過調整載流子的散射機制以有效地提高熱電性能”，能源與環境科學(2017)[DOI:10.1039/C7EE00098G].

發明內容

本發明的目的是提供一種在200℃附近性能較高的熱電轉換材料。

本發明的津特耳相熱電轉換材料由化學式Mg_3+m-aA_aB_2-c-eC_cE_e表示。

元素A表示選自Ca、Sr、Ba、Nb、Zn和Al之中的至少一種，

元素B表示選自Sb和Bi之中的至少一種，

元素C表示選自Mn、Si和Cr之中的至少一種，

元素E表示選自Se和Te之中的至少一種，

m的值為-0.1以上且0.4以下，

a的值為0以上且0.1以下，

c的值為0以上且0.1以下，并且