[發明專利]顯示面板及制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810353698.3 | 申請日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN108573998B | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發明(設計)人: | 閆光;侯文軍;尤娟娟;于東慧;胡春靜;申永奇;楊棟芳 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 楊廣宇 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制造 方法 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板及制造方法、顯示裝置,屬于顯示領域。顯示面板包括:多個陣列排布的像素單元,每個像素單元包括至少兩個不同顏色的亞像素單元,每個亞像素單元包括:依次層疊設置在襯底基板上的第一導電層、發光層和第二導電層;其中,每個亞像素單元靠近所述襯底基板一側的面積相同,且不同顏色的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面的面積不同。本發明在保證顯示面板的顯示壽命的基礎上,縮短了顯示面板的制造時間,提高了生產效率。本發明用于制造顯示面板。
技術領域
本發明涉及顯示領域,特別涉及一種顯示面板及制造方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(英文:Organic Light-Emitting Diode;簡稱:OLED)顯示面板包括多個陣列排布的像素單元,每個像素單元包括至少兩個不同顏色的亞像素單元,每個亞像素單元包括:陽極、發光層和陰極等。其中,發光層可以包括:空穴注入層、空穴傳輸層、發光材料層、電子傳輸層和電子注入層等,每個像素單元可以包括紅色(R)亞像素單元、綠色(G)亞像素單元和藍色(B)亞像素單元等。
由于各種顏色的發光材料由材料性質決定的發光壽命不同,為了保證顯示面板的顯示壽命,相關技術中通常將不同顏色亞像素單元的面積進行區別設置,以減小發光材料層在單位面積內的電流密度,使不同顏色的發光材料層的實際發光壽命盡量相同。
但是,在使用溶液制程制造不同亞像素單元中的發光層時,由于不同面積的發光層所需的對溶液進行干燥的干燥條件不同,需要分別制造不同亞像素單元中的發光層,導致顯示面板的制造時間較長,生產效率較低。
發明內容
本發明實施例提供了一種顯示面板及制造方法、顯示裝置,可以解決相關技術中需要分別制造不同亞像素單元中的發光層,導致顯示面板的制造時間較長,生產效率較低的問題。所述技術方案如下:
第一方面,提供了一種顯示面板,所述顯示面板包括:多個陣列排布的像素單元,每個像素單元包括至少兩個不同顏色的亞像素單元,每個亞像素單元包括:依次層疊設置在襯底基板上的第一導電層、發光層和第二導電層;
其中,每個亞像素單元靠近所述襯底基板一側的面積相同,且不同顏色的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面的面積不同。
可選地,不同顏色的亞像素單元中的發光層包括:對應顏色的發光材料層;
不同顏色的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面的面積,與對應顏色的由發光材料的性質決定的發光壽命正相關。
可選地,每個像素單元包括:第一顏色的亞像素單元、第二顏色的亞像素單元和第三顏色的亞像素單元,在所述第一顏色的亞像素單元、所述第二顏色的亞像素單元和所述第三顏色的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面的面積依次增大。
可選地,每個像素單元中的至少一個亞像素單元中還包括:設置在設置有所述第一導電層的襯底基板上的絕緣層,所述絕緣層和所述第一導電層均與所述發光層接觸。
可選地,每個設置有所述絕緣層的亞像素單元中,所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影與所述第一導電層在所述襯底基板上的正投影不重疊,且所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影的面積與所述第一導電層在所述襯底基板上的正投影的面積之和,等于對應亞像素單元在所述襯底基板上的正投影的面積。
可選地,所述絕緣層的厚度與所述第一導電層的厚度相同。
可選地,每個設置有所述絕緣層的亞像素單元中,所述絕緣層與所述發光層的接觸面呈環形,且所述第一導電層與所述發光層的接觸面位于所述環形的內部。
可選地,每個設置有所述絕緣層的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面呈矩形,所述絕緣層與所述發光層的接觸面分布在所述矩形相對的兩側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





