[發明專利]顯示面板及制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810353698.3 | 申請日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN108573998B | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發明(設計)人: | 閆光;侯文軍;尤娟娟;于東慧;胡春靜;申永奇;楊棟芳 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 楊廣宇 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:多個陣列排布的像素單元,每個像素單元包括至少兩個不同顏色的亞像素單元,每個亞像素單元包括:依次層疊設置在襯底基板上的第一導電層、發光層和第二導電層;
其中,每個亞像素單元靠近所述襯底基板一側的面積相同,且不同顏色的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面的面積不同;
每個像素單元中的至少一個亞像素單元中還包括:設置在設置有所述第一導電層的襯底基板上的絕緣層,所述絕緣層和所述第一導電層均與所述發光層接觸;
每個設置有所述絕緣層的亞像素單元中,所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影與所述第一導電層在所述襯底基板上的正投影不重疊,且所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影的面積與所述第一導電層在所述襯底基板上的正投影的面積之和,等于對應亞像素單元在所述襯底基板上的正投影的面積,所述亞像素單元在所述襯底基板上的正投影的面積等于對應的所述發光層在所述襯底基板上的正投影的面積;
所述第一導電層的幾何中心與所述發光層的幾何中心重合;
每個設置有所述絕緣層的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面呈矩形,所述絕緣層與所述發光層的接觸面分布在所述矩形相對的兩側。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,不同顏色的亞像素單元中的發光層包括:對應顏色的發光材料層;
不同顏色的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面的面積,與對應顏色的由發光材料的性質決定的發光壽命正相關。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,每個像素單元包括:第一顏色的亞像素單元、第二顏色的亞像素單元和第三顏色的亞像素單元,在所述第一顏色的亞像素單元、所述第二顏色的亞像素單元和所述第三顏色的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面的面積依次增大。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述絕緣層的厚度與所述第一導電層的厚度相同。
5.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在襯底基板上形成第一導電層;
在形成有所述第一導電層的襯底基板上形成像素界定層,所述像素界定層在所述襯底基板上限定出多個陣列排布的像素區域,每個像素區域包括至少兩個亞像素區域,且每個亞像素區域靠近所述襯底基板一側的面積相同;
在形成有所述像素界定層的襯底基板上形成發光層,使得每個像素單元包括至少兩個不同顏色的亞像素單元,且不同顏色的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面的面積不同,每個像素單元中的至少一個亞像素單元中還包括:設置在設置有所述第一導電層的襯底基板上的絕緣層,所述絕緣層和所述第一導電層均與所述發光層接觸;每個設置有所述絕緣層的亞像素單元中,所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影與所述第一導電層在所述襯底基板上的正投影不重疊,且所述絕緣層在所述襯底基板上的正投影的面積與所述第一導電層在所述襯底基板上的正投影的面積之和,等于對應亞像素單元在所述襯底基板上的正投影的面積,所述亞像素單元在所述襯底基板上的正投影的面積等于對應的所述發光層在所述襯底基板上的正投影的面積,所述第一導電層的幾何中心與所述發光層的幾何中心重合,每個設置有所述絕緣層的亞像素單元中,所述第一導電層與所述發光層的接觸面呈矩形,所述絕緣層與所述發光層的接觸面分布在所述矩形相對的兩側;
在形成有所述發光層的襯底基板上形成第二導電層。
6.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括:權利要求1至4任一所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





