[發明專利]一種基于分層原理的砂型模型近成形方法有效
| 申請號: | 201810351950.7 | 申請日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN108580803B | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | 劉豐;單忠德;張帥;顧兆現 | 申請(專利權)人: | 北京機科國創輕量化科學研究院有限公司 |
| 主分類號: | B22C9/02 | 分類號: | B22C9/02;B33Y10/00 |
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| 地址: | 100083 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 分層 原理 砂型 模型 成形 方法 | ||
1.一種基于分層原理的砂型模型近成形方法,其特征在于:
(1)根據長寬高分別為a×p、b×q和lz的砂型CAD三維模型z向尺寸lz和近成形精度要求確定近成形精度Δz;
(2)將砂型CAD三維模型近成形區域沿z向劃分為m層,其中m=lz/Δz,各層分別命名為B1,…,Bk,…,Bm;其中,m∈Z,1≤k≤m;
(3)填充單元陣列由p×q個長寬高分別為a、b和hi,j的子單元Ui,j組成,填充子單元Ui,j從z=0平面開始沿z向遞增用于填充砂型型腔,遞增高度為Δz;其中,p∈Z,q∈Z,1≤i≤p,1≤j≤q;
(4)若填充子單元Ui,j與B1,B2,…,Bk-1均無交集,而與Bk有交集,則填充子單元Ui,j遞增高度為hi,j=Δz×(k-1);
(5)根據步驟(4),依次獲得填充單元陣列各填充子單元Ui,j的高度H=
(6)進入填充單元陣列調形工序,調形完畢后進行填砂造型。
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