[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)移載板與晶粒載板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810348132.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110391165B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賴育弘;林子旸;李允立 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英屬開曼群島商镎創(chuàng)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京先進(jìn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11648 | 代理人: | 趙志顯;張覲 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)南市*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轉(zhuǎn)移 晶粒 | ||
本發(fā)明公開一種轉(zhuǎn)移載板,用以轉(zhuǎn)移一第一基板上的多個(gè)微型元件至一第二基板。此轉(zhuǎn)移載板包括一基板與多個(gè)轉(zhuǎn)移件。該些轉(zhuǎn)移件間隔設(shè)置于該基板的一上表面。每一轉(zhuǎn)移件具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面。該些轉(zhuǎn)移件以第一表面接觸此基板。其中,該基板的熱膨脹系數(shù)與該些轉(zhuǎn)移件的熱膨脹系數(shù)不相同,該些轉(zhuǎn)移件的熱膨脹系數(shù)與該些微型元件的熱膨脹系數(shù)的差值小于該基板的熱膨脹系數(shù)與該些轉(zhuǎn)移件的熱膨脹系數(shù)的差值。本發(fā)明還公開一種晶粒載板。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一種轉(zhuǎn)移載板與晶粒載板,特別是一種具有表面微結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移載板與晶粒載板。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)作為高效率的發(fā)光元件,被廣泛的使用在各種領(lǐng)域。目前現(xiàn)有的發(fā)光元件制造方法是通過磊晶的方式,在磊晶基板上依序形成N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層與電極,借此得到發(fā)光元件。
當(dāng)發(fā)光元件尺寸縮小至微米(micrometer,μm)等級(jí)而形成微型發(fā)光元件,并被應(yīng)用于顯示裝置時(shí),眾多微型發(fā)光元件構(gòu)成的微型發(fā)光元件陣列排列在顯示面板上以作為顯示裝置的光源。而通常顯示裝置制造方法是先在磊晶基板上形成微型發(fā)光元件。然后通過轉(zhuǎn)移載板將微型發(fā)光元件自磊晶基板上取下,再將取下的微型發(fā)光元件設(shè)置在顯示面板上。借此達(dá)到巨量轉(zhuǎn)移微型發(fā)光元件、提高工藝效率。更進(jìn)一步來說,為配合微型發(fā)光元件所制作的微型電子元件也需要利用巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)來提高工藝效率。
一般來說,在此轉(zhuǎn)移過程當(dāng)中,轉(zhuǎn)移載板在某些程序中會(huì)被加熱,以使微型發(fā)光元件能夠暫時(shí)地固著于轉(zhuǎn)移載板,或是使轉(zhuǎn)移載板能夠與微型發(fā)光元件分離以讓微型發(fā)光元件設(shè)置于顯示面板上。但是當(dāng)轉(zhuǎn)移載板被加熱時(shí),轉(zhuǎn)移載板的結(jié)構(gòu)有可能因熱而膨脹,致使轉(zhuǎn)移載板上的結(jié)構(gòu)無法與磊晶基板上的各微型發(fā)光元件精準(zhǔn)對(duì)位,或是讓暫時(shí)固著于轉(zhuǎn)移載板的各微型發(fā)光元件無法與顯示面板上的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)位,造成工藝上的困擾,甚至降低了整體合格率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在于提供一種轉(zhuǎn)移載板與晶粒載板以改善轉(zhuǎn)移載板因熱膨脹現(xiàn)象而無法精準(zhǔn)對(duì)位的問題。
本發(fā)明公開了一種轉(zhuǎn)移載板。此轉(zhuǎn)移載板用以轉(zhuǎn)移一第一基板上的多個(gè)微型元件至一第二基板。此轉(zhuǎn)移載板包括一基板與多個(gè)轉(zhuǎn)移件。此基板具有一上表面。這些轉(zhuǎn)移件設(shè)置于所述的基板的上表面。每一轉(zhuǎn)移件具有相對(duì)的一第一表面與一第二表面。這些轉(zhuǎn)移件分別以這些第一表面接觸此基板。其中,所述的基板的熱膨脹系數(shù)與轉(zhuǎn)移件的熱膨脹系數(shù)不相同。轉(zhuǎn)移件的熱膨脹系數(shù)與這些微型元件的熱膨脹系數(shù)的差值小于此基板的熱膨脹系數(shù)與轉(zhuǎn)移件的熱膨脹系數(shù)的差值。
本發(fā)明所公開的轉(zhuǎn)移載板,其中每一轉(zhuǎn)移件的熱導(dǎo)系數(shù)大于此基板的熱導(dǎo)系數(shù)的兩倍、小于此基板的熱導(dǎo)系數(shù)的五倍。
本發(fā)明所公開的轉(zhuǎn)移載板,其中此基板為藍(lán)寶石基板,轉(zhuǎn)移件的材料包括氮化鎵。
本發(fā)明所公開的轉(zhuǎn)移載板,其中每一轉(zhuǎn)移件的熱膨脹系數(shù)與此基板的熱膨脹系數(shù)的差值不大于此基板的熱膨脹系數(shù)的百分之五十且不大于此基板的熱膨脹系數(shù)的百分之十。
本發(fā)明所公開的轉(zhuǎn)移載板,還包括多個(gè)分隔設(shè)置的粘著塊,每一粘著塊分別位于這些轉(zhuǎn)移件的其中之一的第二表面。
本發(fā)明所公開的轉(zhuǎn)移載板,其中每一粘著塊位于對(duì)應(yīng)的第二表面的周緣之內(nèi)。
本發(fā)明所公開的轉(zhuǎn)移載板,其中每一轉(zhuǎn)移件的第二表面形成一凹槽,這些粘著塊分別位于這些轉(zhuǎn)移件的這些凹槽中。
本發(fā)明所公開的轉(zhuǎn)移載板,還包括一粘著層,粘著層覆蓋這些轉(zhuǎn)移件與這基板的上表面。
本發(fā)明所公開的轉(zhuǎn)移載板,其中此粘著層于第一表面上的厚度大于粘著層于每一轉(zhuǎn)移件的第二表面上的厚度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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