[發(fā)明專利]一種存儲(chǔ)器的制備方法和存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810347984.9
• 申請(qǐng)日: 2018-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110391243A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉釗;熊濤;許毅勝;舒清明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11551
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11551;H01L27/11526
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，包括：

提供經(jīng)過(guò)拋光的具有有源層、淺溝道隔離結(jié)構(gòu)和浮柵的半導(dǎo)體基底，其中，所述半導(dǎo)體基底劃分為存儲(chǔ)單元區(qū)和外圍電路區(qū)；

采用光刻工藝在所述外圍電路區(qū)形成光刻膠層；

采用濕法刻蝕工藝在所述存儲(chǔ)單元區(qū)的所述浮柵之間的所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)上形成第一凹槽；

去除所述光刻膠層以及所述第一凹槽內(nèi)殘留的光刻膠；

采用干法刻蝕工藝刻蝕所述第一凹槽形成第二凹槽，其中，所述第二凹槽的底部高于所述浮柵的底部；

在所述存儲(chǔ)單元區(qū)形成依次層疊的層間絕緣層和控制柵，以及在所述外圍電路區(qū)形成外圍柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，在采用光刻工藝在所述外圍電路區(qū)形成光刻膠層之后，且在采用濕法刻蝕工藝在所述存儲(chǔ)單元區(qū)的所述浮柵之間的所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)上形成第一凹槽之前，還包括：

采用干法刻蝕工藝在所述存儲(chǔ)單元區(qū)的所述浮柵之間的所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)上形成凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，去除所述第一凹槽內(nèi)殘留的光刻膠包括：

采用氧氣或氧氣與氬氣干法去除所述第一凹槽內(nèi)殘留的光刻膠；和/或，

采用硫酸和過(guò)氧化氫去除所述第一凹槽內(nèi)殘留的光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，在所述存儲(chǔ)單元區(qū)形成依次層疊的層間絕緣層和控制柵，以及在所述外圍電路區(qū)形成外圍柵極包括：

刻蝕掉所述外圍電路區(qū)的浮柵；

在所述半導(dǎo)體基底的表面形成層間絕緣層并刻蝕掉所述外圍電路區(qū)的層間絕緣層；

在所述半導(dǎo)體基底的表面形成柵極層并刻蝕形成所述控制柵和位于所述外圍電路區(qū)的外圍柵極。

5.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器采用權(quán)利要求1-4任一所述的存儲(chǔ)器的制備方法制備。