[發(fā)明專利]雙路正端電流采樣模塊、采樣電路、開關(guān)電路及采樣方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810347792.8 | 申請(qǐng)日： | 2018-04-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108362929B | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 余東升;黃飛明;勵(lì)曄;婁冬;楊潺 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無(wú)錫硅動(dòng)力微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01R19/00 | 分類號(hào)： | G01R19/00;G01R1/30;H03K17/687 |
| 代理公司： | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214028 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 雙路正端 電流 采樣 模塊 電路 開關(guān)電路 方法 | ||
1.一種雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，包括：阻值相同的電阻R5、R6、R7，相同的PMOS管MP1、MP2、MP3，相同的PMOS管MP4和MP5，電阻R8，電流相等的電流源IS1、IS2、IS3；
電阻R5的一端接PMOS管MP1的源極、PMOS管MP4的源極、PMOS管MP5的源極；電阻R6的一端接PMOS管MP2的源極；電阻R7的一端接PMOS管MP3的源極；PMOS管MP1的柵極連接PMOS管MP2的柵極、PMOS管MP3的柵極以及MP1的漏極；PMOS管MP1的漏極通過電流源IS1接芯片地，PMOS管MP2的漏極通過電流源IS2接芯片地，PMOS管MP3的漏極通過電流源IS3接芯片地；PMOS管MP4的柵極接PMOS管MP2的漏極，PMOS管MP5的柵極接PMOS管MP3的漏極；PMOS管MP4和MP5的漏極接電阻R8的一端，電阻R8的另一端接芯片地；電阻R8的一端用于輸出電壓反饋信號(hào)VSEN。
2.如權(quán)利要求1所述的雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，
PMOS管MP1、MP2、MP3為低壓PMOS管。
3.如權(quán)利要求1所述的雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，
PMOS管MP4和MP5為薄柵氧高壓PMOS管。
4.如權(quán)利要求1所述的雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，
PMOS管MP1、MP2、MP3的柵長(zhǎng)為5μm以上。
5.如權(quán)利要求1所述的雙路正端電流采樣模塊，其特征在于，
PMOS管MP1、MP2、MP3的柵寬為5μm以上。
6.一種雙路正端電流采樣電路，包括第一輸出支路、第二輸出支路，以及如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的雙路正端電流采樣模塊；第一輸出支路包括采樣電阻R1和負(fù)載R4，第二輸出支路包括采樣電阻R2和負(fù)載R3；
采樣電阻R1和R2的一端連接在一起，并連接電阻R5的另一端，采樣電阻R1和R2相連接的一端為采樣電阻公共端；采樣電阻R2的另一端連接電阻R6的另一端和負(fù)載R3的一端；采樣電阻R1的另一端連接電阻R7的另一端和負(fù)載R4的一端；負(fù)載R3和R4的另一端接地，雙路正端電流采樣模塊的芯片地也接地。
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