[發明專利]一種抗PID組件及其制備方法

在審

• 申請號: 201810347569.3
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN108615774A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 王建明;劉宗濤;劉志鋒
• 申請（專利權）人: 泰州中來光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/048
• 代理公司: 北京金之橋知識產權代理有限公司 11137
• 代理人: 林建軍;朱黎光

1.一種抗PID組件，包括前板玻璃、第一封裝層、至少一個光伏太陽能電池、第二封裝層、背板和組件邊框，其特征在于，所述前板玻璃與第一封裝層之間和所述第二封裝層與背板之間均設置有超薄二維電納米材料層；

所述超薄二維電納米材料層的側邊與所述組件邊框連接設置。

2.根據權利要求1所述的一種抗PID組件，其特征在于，所述超薄二維電納米材料層包括1-20層層狀納米材料層；所述層狀納米材料層厚度為0.01～5nm。

3.根據權利要求2所述的一種抗PID組件，其特征在于，所述層狀納米材料層由單層的層狀納米材料鋪設而成。

4.根據權利要求3所述的一種抗PID組件，其特征在于，所述層狀納米材料為石墨烯、石墨烯氧化物、六方氮化硼、過渡金屬硫化物、石墨氮化碳、黑磷、過渡金屬氧化物、黑磷烯或層狀雙氫氧化物中的一種。

5.根據權利要求1所述的一種抗PID組件，其特征在于，所述第一封裝層和所述第二封裝層均為切割好的EVA。

6.根據權利要求1所述的一種抗PID組件，其特征在于，所述超薄二維電納米材料層的側邊通過導電復合膠與所述組件邊框連接。

7.根據權利要求1所述的一種抗PID組件，其特征在于，所述超薄二維電納米材料層敷設在前板玻璃的下表面和背板的下表面。

8.根據權利要求1-7中任意一項所述的一種抗PID組件的制備方法，其特征在于，包括步驟：

(1)在前板玻璃下表面和背板上表面敷設1-20層層狀納米材料層；

(2)將下表面敷設有超薄二維電納米材料層的前板玻璃、第一封裝層、光伏太陽能電池、第二封裝層、上表面敷設有超薄二維電納米材料層的背板，從上至下依次敷設；

(3)敷設后放入層壓設備，根據第一封裝層和第二封裝層的材料調溫至預設溫度，層壓預設時長；

(4)修邊、安裝組件邊框并連接線盒。

9.根據權利要求8所述的一種抗PID組件的制備方法，其特征在于，層狀納米材料層的形成方法包括：

(1.1)取層狀納米材料粉末、分散劑和溶劑加入高速混合機混合均勻；

(1.2)加入高速離心機以25000-30000r/min的轉速去除多層層狀納米材料，得到單層層狀納米材料分散液；

(1.3)將前板玻璃和背板用純水、酸溶液、弱堿溶液或洗滌劑中的一種或多種組合進行清洗；

(1.4)取分散劑完全覆蓋前板玻璃和背板表面，靜置揮發1-20min或在一定溫度下蒸干；

(1.5)將單層層狀納米材料分散液采用薄膜制備工藝敷設在步驟(1.4)中得到的前板玻璃下表面和背板上表面；

(1.6)甩離多余的單層層狀納米材料分散液，揮發溶劑。

10.根據權利要求8所述的一種抗PID組件的制備方法，其特征在于，層狀納米材料層的形成方法包括：

(1.1)在金屬基底上CVD生長層狀納米材料層；

(1.2)用PMMA轉移至前板玻璃下表面和背板上表面。

11.根據權利要求8所述的一種抗PID組件的制備方法，其特征在于，層狀納米材料層的形成方法包括：

(1.1)取層狀納米材料粉末、分散劑和溶劑加入高速混合機混合均勻；

(1.2)通過噴霧槍霧化石墨烯分散液；

(1.3)然后將霧化的小液滴噴灑到預熱的基底上；

(1.4)待溶劑揮發，最后得到石墨烯薄膜。

12.根據權利要求8所述的一種抗PID組件的制備方法，其特征在于，層狀納米材料層的形成方法包括：

(1.1)在一定溫度下，所述溫度小于玻璃最高承受溫度；

(1.2)將蓋板玻璃放入CVD設備中；

(1.3)抽真空，通保護氣，通碳源如甲烷

(1.4)所述蓋板玻璃表面涂有催化劑，一般為金屬顆粒；

(1.5)沉積一定時間即可得到超薄二維材料基蓋板玻璃。