[發明專利]半導體發光元件

有效

• 申請號: 201810347403.1
• 申請日: 2015-06-10
• 公開（公告）號: CN108598251B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 全水根;金太賢;金太進;百成皓;崔日均;晉根模
• 申請（專利權）人: 世邁克琉明有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/08;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/50;H01L33/62
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;金玲

1.一種半導體發光元件，其特征在于，其包括：

多個半導體層，它們包括在生長襯底上依次形成的具備第一導電性的第一半導體層、具備與第一導電性不同的第二導電性的第二半導體層及介于第一半導體層與第二半導體層之間，通過電子和空穴的復合而生成光的有源層；

非導電性反射膜，其以將在有源層生成的光反射到生長襯底側的方式形成在多個半導體層上，并且包括分布布拉格反射器；

第一電極，其形成在非導電性反射膜上，與第一半導體層電氣性地連通，供給電子和空穴中的一個；及

第二電極，其在非導電性反射膜上與第一電極相對地形成，與第二半導體層電氣性地連通，供給電子和空穴中的另一個，

第一電極及第二電極包括反射金屬層，

第一電極及第二電極覆蓋非導電性反射膜，

為了減少包括反射金屬層的第一電極及第二電極覆蓋非導電性反射膜的位置處的光的損失，第一電極與第二電極之間的間隔為80μm以上，在俯視圖上觀察時，將第一電極及第二電極相加的面積相對于半導體發光元件的俯視面積的比率為0.7以下，

第一電極與第二電極之間的間隔為400μm以下，

該半導體發光元件包括：第一電連接，其通過形成在非導電性反射膜上的開口而將第一電極和第一半導體層電連接；及第二電連接，其通過形成在非導電性反射膜上的另外的開口而將第二電極和第二半導體層電連接，

該半導體發光元件包括：第一下部電極，其形成于通過臺面蝕刻而露出的第一半導體層，并連接于第一電連接；及第二下部電極，其在多個半導體層與非導電性反射膜之間連接于第二電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

第一電極及第二電極中的至少一個包括在非導電性反射膜上彼此離開的多個子電極。

3.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

在將晶片狀態的多個半導體發光元件分離成單獨的各個半導體發光元件時，生長襯底的側表面、多個半導體層的側表面及與多個半導體層的邊緣對應的第一電極及第二電極的側表面構成切割面。

4.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于，

多個子電極包括：凸臺狀子電極；及長幅延伸的延伸式子電極。

5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

該半導體發光元件包括：

絕緣膜，其形成在非導電性反射膜與第一電極及第二電極之間；

第一連接電極及第二連接電極，它們形成在非導電性反射膜與絕緣膜之間；

第一上部電連接，其貫穿絕緣膜而與第一連接電極連接；及

第二上部電連接，其貫穿絕緣膜而與第二連接電極連接，

第一電連接將第一連接電極和第一半導體層電連接，第二電連接將第二連接電極和第二半導體層電連接。