[發(fā)明專利]一種諧振器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810346693.8 | 申請日： | 2018-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN108535852A | 公開（公告）日： | 2018-09-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫豹;王昭;王玲芳 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02B17/00 | 分類號： | G02B17/00 |
| 代理公司： | 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 何凡 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 諧振器 包層 制備 鍵合 芯層 頂層 三明治 高溫退火 清洗拋光 逐漸升溫 鍵合面 預鍵合 中芯層 拋光 磨削 清洗 重復 | ||
1.一種諧振器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)對芯層晶片和底層包層晶片的鍵合面進行清洗拋光；
(2)將拋光后的芯層晶片和底層包層晶片再次清洗后，于室溫，0.8～2MPa下進行預鍵合，然后由80～100℃逐漸升溫至900～1100℃，進行高溫退火處理，再次完成鍵合；
(3)對步驟(2)所得產(chǎn)物中芯層晶片未鍵合的一面進行磨削，然后與頂層包層晶片一同重復步驟(1)和步驟(2)，使頂層包層晶片與芯層晶片完成鍵合，得到具有“三明治”結(jié)構(gòu)的諧振器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的諧振器的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述芯層晶片和底層包層晶片的鍵合面的拋光度達到光學二級以上。
3.采用權(quán)利要求1或2所述方法制備得到的諧振器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的諧振器，其特征在于，所述諧振器呈圓柱形，其包括由上至下鍵合的頂層包層晶片(1)、芯層晶片(2)和底層包層晶片(3)；所述頂層包層晶片(1)、芯層晶片(2)和底層包層晶片(3)均呈圓柱形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的諧振器，其特征在于，所述頂層包層晶片(1)和底層包層晶片(3)為同種材料，且芯層晶片(2)材料的折射率大于頂層包層晶片(1)和底層包層晶片(3)，熱光系數(shù)與頂層包層晶片(1)和底層包層晶片(3)相反。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的諧振器，其特征在于，所述芯層晶片(2)半徑為微米量級。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的諧振器，其特征在于，所述頂層包層晶片(1)和底層包層晶片(3)半徑一致，且均為毫米量級。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的諧振器，其特征在于，所述諧振器直徑為毫米量級，其側(cè)面粗糙度為亞微米量級。
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