[發(fā)明專利]OLED顯示裝置及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810345480.3 | 申請日: | 2018-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN108565351B | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃輝 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 44265 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 林才桂;王中華 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝蓋板 基板 襯底基板 陣列排布 散射層 填充 基板相對設(shè)置 表面形成 出光效率 顯示效果 相對設(shè)置 封裝 制作 保證 | ||
1.一種OLED顯示裝置的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1、提供一封裝蓋板(20),對所述封裝蓋板(20)進(jìn)行圖案化,形成位于所述封裝蓋板(20)的第一表面上的陣列排布的多個凹槽(21);
步驟S2、提供一保護(hù)膜(40),將所述保護(hù)膜(20)貼附到所述封裝蓋板(20)第一表面上,所述保護(hù)膜(40)遮擋所述封裝蓋板(20)的第一表面上未形成凹槽(21)的區(qū)域,同時暴露出所述凹槽(21);
步驟S3、將所述封裝蓋板(20)浸泡于散射層前驅(qū)體溶液中,并對所述散射層前驅(qū)體溶液進(jìn)行加熱,使得散射層前驅(qū)體溶液進(jìn)行自組裝,形成覆蓋所述凹槽(21)和保護(hù)膜(40)的散射薄膜(220);
步驟S4、剝離所述保護(hù)膜(40)及位于所述保護(hù)膜(40)上的散射薄膜(220),得到填充于所述凹槽(21)內(nèi)的散射層(22);
步驟S5、提供一襯底基板(11),在所述襯底基板(11)上形成陣列排布的多個OLED顯示單元(12),得到OLED顯示基板(10);
步驟S6、將所述封裝蓋板(20)與所述OLED顯示基板(10)組合,得到OLED顯示裝置,組合后,所述封裝蓋板(20)的第一表面位于所述封裝蓋板(20)遠(yuǎn)離所述OLED顯示基板(10)的一側(cè),所述OLED顯示單元(12)位于所述OLED顯示基板(10)靠近所述封裝蓋板(20)的一側(cè),每一個凹槽(21)均對應(yīng)與一個OLED顯示單元(12)相對設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的制作方法,其特征在于,所述散射層(22)的材料為無機(jī)金屬氧化物,所述散射層前驅(qū)體溶液包括:前驅(qū)體介質(zhì)、輔助溶劑及分散劑。
3.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示裝置的制作方法,其特征在于,所述散射層(22)的材料為二氧化鈦,所述前驅(qū)體介質(zhì)為四氯化鈦或鈦酸四丁酯,所述輔助溶劑為鹽酸和水,所述散射層前驅(qū)體溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%~40%。
4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的制作方法,其特征在于,所述凹槽(21)的深度大于所述散射層(22)的厚度,所述凹槽(21)的深度小于或等于15μm,所述散射層(22)的厚度大于5μm且小于15μm。
5.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的制作方法,其特征在于,每一個OLED顯示單元(12)均包括至少一個OLED子像素。
6.一種采用如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置的制作方法制得的OLED顯示裝置,其特征在于,包括:OLED顯示基板(10)以及與所述OLED顯示基板(10)相對設(shè)置的封裝蓋板(20);
所述OLED顯示基板(10)包括:襯底基板(11)以及位于所述襯底基板(11)靠近所述封裝蓋板(20)的一側(cè)的陣列排布的多個OLED顯示單元(12);
所述封裝蓋板(20)遠(yuǎn)離所述基板(10)的一側(cè)表面形成有陣列排布的多個凹槽(21),每一個凹槽(21)內(nèi)均填充有散射層(22),每一個凹槽(21)均對應(yīng)與一個OLED顯示單元(12)相對設(shè)置。
7.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述散射層(22)的材料為無機(jī)金屬氧化物。
8.如權(quán)利要求7所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述散射層(22)的材料為二氧化鈦。
9.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述凹槽(21)的深度大于所述散射層(22)的厚度,所述凹槽(21)的深度小于或等于15μm,所述散射層(22)的厚度大于5μm且小于15μm。
10.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示裝置,其特征在于,每一個OLED顯示單元(12)均包括至少一個OLED子像素。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳市華星光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810345480.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





