[發(fā)明專利]一種梯度鈀釔透氫復(fù)合薄膜材料及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810336212.5
• 申請日: 2018-04-16
• 公開（公告）號: CN108300970A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張昌欽;其他發(fā)明人請求不公開姓名
• 申請（專利權(quán)）人: 山東建筑大學(xué)
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/58
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1.一種梯度鈀釔透氫復(fù)合薄膜材料及其制備方法，包括：

一種鈀元素和釔元素含量呈梯度變化的Pd-Y透氫復(fù)合薄膜材料，該材料采用高真空雙靶磁控濺射方法制備而成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的梯度鈀釔透氫復(fù)合薄膜材料，其特征在于：

鈀元素在合金薄膜中的原子百分含量可以在50%~100%之間變化，余量為釔元素。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的梯度鈀釔透氫復(fù)合薄膜材料，其特征在于：

薄膜的厚度可在500 nm ~ 15 μm之間變化，薄膜的面積可在5 cm × 5 cm ~ 10 cm× 10 cm之間變化。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高真空雙靶磁控濺射方法制備梯度鈀釔透氫復(fù)合薄膜材料的方法，其特征在于：

在銅基底或鈉鈣玻璃基底上磁控濺射雙靶共沉積Pd-Y薄膜，所用雙靶為釔靶和鈀靶，磁控濺射的同時在300 ℃條件下原位退火；

所述磁控濺射的條件為：釔靶所在平面中心距離沉積樣品臺中心距離為8~10 cm，鈀靶所在平面中心距離沉積樣品臺中心距離為4~6 cm，在共濺射過程中保持不變；

所述磁控濺射的條件為：釔靶的濺射功率設(shè)置在25~50 W之間并在共濺射過程中保持不變；

所述磁控濺射的條件為：鈀靶的初始濺射功率設(shè)置在50~100 W之間，根據(jù)Pd-Y薄膜中鈀含量的梯度變化要求可在共濺射過程中調(diào)增或調(diào)減鈀靶的濺射功率，濺射功率調(diào)節(jié)范圍為25~175 W。