[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810329924.4
• 申請(qǐng)日: 2018-04-13
• 公開（公告）號(hào): CN108766969B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金恩靚;金大益;金奉秀;樸濟(jì)民;張世明;黃有商
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H10B43/00
• 分類號(hào): H10B43/00;H10B43/30
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法，包含：在半導(dǎo)體襯底上形成位線和位線封蓋圖案；形成覆蓋位線封蓋圖案的側(cè)壁和位線的側(cè)壁的第一間隔物；形成與第一間隔物的側(cè)壁接觸且具有低于第一間隔物的上部末端的頂部表面的接觸塞；移除第一間隔物的上部部分；形成封閉至少空隙的入口的第一犧牲層；形成覆蓋位線封蓋圖案的側(cè)壁且具有與第一間隔物的頂部表面接觸的底部表面的第二間隔物；以及移除第一犧牲層。位線封蓋圖案在位線上。接觸塞包含暴露于頂部表面上的空隙。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本專利申請(qǐng)要求2017年4月13日提交的第10-2017-0048085號(hào)以及2017年5月4日提交的第10-2017-0056869號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，所述韓國專利申請(qǐng)其全部內(nèi)容以引用的方式并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明概念涉及制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而可以被認(rèn)為是電子行業(yè)中的重要因素。半導(dǎo)體裝置正與電子行業(yè)的顯著發(fā)展高度集成。為了半導(dǎo)體裝置的高度集成，半導(dǎo)體裝置的圖案的線寬度(line width)正在減小。然而，為了圖案的精細(xì)度，需要新的曝光(exposure)技術(shù)和/或昂貴的曝光技術(shù)，使得高度集成半導(dǎo)體裝置是困難的。因此，最近已經(jīng)進(jìn)行新集成技術(shù)的各種研究。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明概念的實(shí)例實(shí)施例提供一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法，所述方法能夠限制和/或防止歐姆層不完美地形成。

根據(jù)本發(fā)明概念的實(shí)例實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法可包含：在半導(dǎo)體襯底上形成位線和位線封蓋圖案，所述位線封蓋圖案在所述位線上；形成覆蓋所述位線封蓋圖案的側(cè)壁和所述位線的側(cè)壁的第一間隔物；形成與所述第一間隔物的側(cè)壁接觸的接觸塞，所述接觸塞具有低于所述第一間隔物的上部末端的頂部表面，所述接觸塞包含暴露于所述頂部表面上的空隙；移除所述第一間隔物的上部部分；形成阻擋所述空隙的入口的第一犧牲層；形成覆蓋所述位線封蓋圖案的所述側(cè)壁的第二間隔物，所述第二間隔物具有與所述第一間隔物的頂部表面接觸的底部表面；以及移除所述第一犧牲層。

根據(jù)本發(fā)明概念的實(shí)例實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法可包含：在半導(dǎo)體襯底上形成位線和位線封蓋圖案，所述位線封蓋圖案在所述位線上；形成覆蓋所述位線封蓋圖案的側(cè)壁和所述位線的側(cè)壁的第一間隔物，所述第一間隔物包含第一子間隔物和第二子間隔物；形成與所述第一間隔物的側(cè)壁接觸的接觸塞，所述接觸塞具有低于所述第一間隔物的上部末端的頂部表面；移除所述第一間隔物的上部部分；移除所述接觸塞的上部部分以暴露所述第二子間隔物的側(cè)壁；移除所述第二子間隔物的暴露上部部分以暴露所述第一子間隔物的側(cè)壁；形成覆蓋所述位線封蓋圖案的所述側(cè)壁的第二間隔物，所述第二間隔物具有與所述第一間隔物的頂部表面接觸的底部表面；以及形成覆蓋所述第一子間隔物的所述側(cè)壁的第三間隔物。

根據(jù)本發(fā)明概念的實(shí)例實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法可包含：在半導(dǎo)體襯底上形成位線和位線封蓋圖案，所述位線封蓋圖案在所述位線上；形成覆蓋所述位線封蓋圖案的側(cè)壁和所述位線的側(cè)壁的第一間隔物；形成與所述第一間隔物的側(cè)壁接觸的接觸塞，所述接觸塞具有低于所述第一間隔物的上部末端的頂部表面；移除所述第一間隔物的上部部分；移除所述接觸塞的上部部分以暴露所述第一間隔物的所述側(cè)壁的上部部分；形成覆蓋所述位線封蓋圖案的所述側(cè)壁的第二間隔物，所述第二間隔物具有與所述第一間隔物的頂部表面接觸的底部表面；形成覆蓋至少所述第一間隔物的所述側(cè)壁的所述上部部分的保護(hù)層；以及執(zhí)行清潔工藝。

附圖說明

圖1A到5A以及7A是說明根據(jù)本發(fā)明概念的實(shí)例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法的平面視圖。

圖1B到5B以及7B是分別沿著圖1A到5A以及7A的線A-A'截取的橫截面視圖。

圖1C到5C以及7C是分別沿著圖1A到5A以及7A的線B-B'截取的橫截面視圖。